石墨烯外延生长及其器件应用研究进展-无机材料学报.PDFVIP

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石墨烯外延生长及其器件应用研究进展-无机材料学报

第26 卷 第 10 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 26 No. 10 2011 年10 月 Journal of Inorganic Materials Oct., 2011 文章编号: 1000-324X(2011)10-1009-11 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2011.01009 石墨烯外延生长及其器件应用研究进展 1,2 1 2 2 2 2 王 霖 , 田林海 , 尉国栋 , 高凤梅 , 郑金桔 , 杨为佑 (1. 太原理工大学 表面工程研究所, 太原 030024; 2. 宁波工程学院 材料工程研究所, 宁波 315016) 摘 要: 石墨烯具有优异的物理和电学性能, 已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一. 本文简单 介绍了石墨烯的物理及电学特性, 详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技 术, 系统论述了不同SiC 和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展, 并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、发光二极 管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展. 外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量 级石墨烯的成功制备, 同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控, 有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、 低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术, 为其器件应用奠定基础. 关 键 词: 石墨烯; 外延生长; 器件; 进展; 综述 中图分类号: O646 文献标识码: A Epitaxial Growth of Graphene and Their Applications in Devices 1,2 1 2 2 2 2 WANG Lin , TIAN Lin-Hai , WEI Guo-Dong , GAO Feng-Mei , ZHENG Jin-Ju , YANG Wei-You (1. Research Institute of Surface Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China; 2. Institute of Mate- rials Engineering, Ningbo University of Technology, Ningbo 315016, China) Abstract: Due to its outstanding physical and electrical properties, graphene has become one of the hot research topics and

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