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砷锑化铟镓异质接面双极性电晶体之电性及 ... - 科技部工程科技推展中心
行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告
砷銻化銦鎵異質接面雙極性電晶體之電性及熱效應研究(I)
研究成果報告(精簡版)
計 畫 類 別 : 個別型
計 畫 編 號 : NSC 99-2221-E-224-074-
執 行 期 間 :99年08月01日至 100年10月31日
執 行 單 位 :國立雲林科技大學光電工程研究所
計 畫 主 持 人 :張彥華
計畫參與人員: 此計畫無其他參與人員
公 開 資 訊 : 本計畫涉及專利或其他智慧財產權,2年後可公開查詢
中 華 民 國 101 年 01月 20 日
中 文 摘 要 : 因核定之研究設備費與原計畫需求差距較大,且兩年計畫僅
核定一年,本研究計畫調整為以建立砷銻化銦鎵(InGaAsSb)
異質接面雙極性電晶體(HBT)集極電流之物理模型為目標。此
電流模型包括電子穿越射極-基極陡接面之熱載子放射機制,
以及電子在基極中性區擴散機制。射極串聯寄生電阻的效應
也包括在電流模型內。
量測的元件為InAlAs/In0.4Ga0.6As0.8Sb0.2/InGaAs 雙異
質接面雙極性電晶體(DHBT),射極面積為1x10 um2。利用推
導出來的集極電流模型,可萃取基極等效摻雜濃度、射極-基
極能帶不連續(delta Ec)、射極寄生電阻等重要的元件參
數,作為改進特性與可靠度之依據。
本成果報告敘述具砷銻化銦鎵基極的雙極性異質接面電晶體
直流特性、集極電流之物理模型之推導、參數之萃取過程。
以模型計算的電流與量測數據符合。
中文關鍵詞: 砷銻化銦鎵,異質接面雙極性電晶體,集極電流模型
英 文 摘 要 :
英文關鍵詞:
砷銻化銦鎵異質接面雙極性電晶體之電性及熱效應研究 (I)
摘要
因核定之研究設備費 與原計畫 需求差距較大,且兩年計畫僅核定一年,本研
究計畫調整為 以建立砷銻化銦鎵 (InGaAsSb)異質接面雙極性電晶體(HBT) 集極電
流之物理模型為目標 。此電流模型包括電子穿越射極 -基極陡接面之熱載子放射
機制,以及電子在基極中性區擴散機制。射極串聯寄生電阻的效應也包括在電流
模型內 。
量測的元件 為InAlAs/In0.4Ga0.6As0.8Sb0.2/InGaAs 雙異質接面雙極性電晶體
(DHBT) ,射極面積為 110 m2 。利用推導出來的 集極電 流模型 ,可萃取基極等
效摻雜濃度、射極 -基極能帶不連續 (E ) 、射極寄生電阻 等重要的 元件參數,作
C
為改進特性與可靠度之依據 。
本成果報告敘述具砷銻化銦鎵基極的雙極性異質接面電晶體直流特性、集極
電 流之物理模型之推導 、參數之萃取過程 。以模型計算的電流與量測數據符合。
關鍵詞 :砷銻化銦鎵 ,異質接面雙極性電晶體 ,集極電 流模型
I
Electrical and Thermal Characteristics of InGaAsSb HBTs (I)
ABSTRACT
Due to the signi
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