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硅量子点双势垒存储结构及其编程机制的研究
中国科学: 技术科学 2015 年 第45 卷 第1 期: 62 ~ 67
《中国科学》杂志社
论 文 SCIENCE CHINA PRESS
硅量子点双势垒存储结构及其编程机制的研究
① ①* ①② ① ① ①
郑文俊 , 曾祥斌 , 文西兴 , 廖武刚 , 冯枫 , 黄诗涵
① 华中科技大学光学与电子信息学院, 武汉 430074;
② 深圳华中科技大学研究院, 深圳 518000
* E-mail: eexbzeng@163.com
收稿日期: 2014-04-11; 接受日期: 2014-10-28
教育部支撑技术计划(批准号: 62501040202)、国家自然科学基金(批准号:、中央高校基础科研基金(批准号: 2014NY004)及深圳
市战略性新兴产业发展专项资金(批准号: JCYJ20120831110939098)资助项目
摘要 采用等离子体化学气相沉积(PECVD)及热退火方法制备了含硅量子点的SiC 薄膜. 关键词
x
透射电子显微镜(TEM)观测表明 SiC 薄膜中生长了大量硅量子点. 制备了含 SiC 薄膜包裹 双势垒
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硅量子点的双势垒存储器结构. TEM 观测表明, 采用上述工艺成功制备了 Si N /SiC 薄膜 硅量子点
3 4 x
/Si-QDs/SiCx 薄膜/SiO2 双势垒结构的存储器结构. 利用硅量子点的库伦阻塞效应及量子限 编程机制
存储器
域效应, 从理论上分析了双势垒硅量子点存储器的编程机制, 建立了双势垒存储结构阈值
电压漂移模型, 模拟仿真表明双势垒存储器的阈值电压漂移要大于单势垒存储器, 编程速
度更快. 存储结构C-V 特性测试表明, 样品在扫描栅压为±12 V 时有10 V 左右的存储窗口,
证明双势垒存储结构具有良好载流子存储效应.
1 引言 容, 性能优良等特点, 是极具应用前景的纳米材料[7].
目前, 硅量子点存储器的电荷存储结构主要有: SiO2/
[1~3]
量子点具有量子限域和库伦阻塞 等奇特效应, 硅量子点(Si-QDs)/SiO2 电荷存储结构[8~10] 、嵌在 SiNx
包含量子点的存储器能够在很大程度上提高器件的 内的 Si 量子点浮栅存储结构[11] 、SiN /nc-Si/SiN /
x x
存储性能, 同时又几乎不会影响器件的编程和擦除
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