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NPN型BJT的开关条件 当晶体管由截止状态过渡到饱和状态时包括两个过程： （1）.发射极由反偏到正偏的过程。 （2）.集电极电流形成过程 ●延迟时间 ：输入信号正跃变开始，到集电极电流上升到0.1 的时间。 产生原因是发射结位结电容的正向充电过程。 的大小与晶体三极管的结构有关，发射结面积越大，结电容面积也越大， 越长。另外，三极管截止深度越大， 越长。 ●上升时间 : 集电极电流从0.1 开始，上升到0.9 所需的时间。 产生原因：集电极电流的形成要求电子在基区中有一定浓度梯度， 由于基区中的电子有一个逐渐积累的过程，不会随 跃变而跃变。 的大小与管子的结构有关，基区宽度越小， 越小。外电路方面，基极正向驱动电流 越大，则基区电子浓度分布建立越快， 越短。 当晶体管由饱和状态过渡到截止状态时包括两个过程： （1）.驱散基区多余存储电荷 （2）.驱散基区存储电荷 ●存储时间 ：从输入信号Vi负跳变瞬间开始，到集电极电流下降至0.9 所需的时间。 产生原因：三极管饱和时， ，发射极发射的载流子数目超过了集电极所吸收的载流子数目，超量的电子在基区中大量积累，形成超量电荷。输入信号跃变后，基极电流 反向，使基区存储的电子在反向电流作用下逐渐消散，当超量电荷消散完毕，晶体三极管由深饱和退至临界饱和过程所需的时间为存储时间 。 ●下降时间 ：晶体三极管的集电极电流从0.9 开始，下降到0.1 所需要的时间。 产生原因：三极管脱离饱和时，集电结开始由正偏转向反偏，基区存储电荷开始消散，使集电极电流随之减少，下降至0。这段下降过程所需的时间就为下降时间 。 3.晶体三极管的开启时间 和关闭时间 的总和称为三极管的开关时间。 晶体三极管从饱和向截止转换的过渡过程：即晶体三极管的 关闭时间 ，由存储时间 与 下降时间组成。 3．三极管开关应用电路 反相器电路： 当 时，处于截止状态。 当 时，处于饱和状态。 3．三极管开关应用电路 当 时，处于截止状态，要求 可靠截止： （1）增大 （2）增大 ，减小 。 当BJT处于截止状态时： 3．三极管开关应用电路 可靠饱和： （1）增大 ，减小 。 （2）当BJT处于饱和状态时，输出 3．三极管开关应用电路 反相器电路： 当 时，处于截止状态，输出为高电平。 当 时，处于饱和状态，输出为低电平。 加速电容Cj可以改善电路的瞬间开关特性。对电路稳态工作没有影响。 * * 第三章 集成逻辑门 实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的电子电路。 1、逻辑门： 2、分类： 二极管门电路 三极管门电路 双极型 PMOS门 CMOS门 逻辑门 电路 分立 NMOS门 TTL -- 三极管-三极管 HTL – 高阈值 ECL – 射极耦合 I2L – 集成注入 集成 单极型 高抗干扰能力 工作速度极高 集成度高 功耗小 在数字电路中，所谓的“门”就是只能实现基本逻辑关系的电路。 ( a ) F A B ( b ) F A B ( c ) F A B F A B 第三章 集成逻辑门 3.1 晶体管的开关特性 3.2 TTL集成逻辑门 3.3 ECL集成逻辑门与I2L电路 3.4 MOS逻辑门 3.5 CMOS电路 1、了解半导体器件的开关特性。 2、熟练掌握基本逻辑门（与非、或非、异或门）、三态门、OC门、传输门的逻辑功能。 3、掌握门电路逻辑功能的分析方法。 4、了解逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。 教学基本要求 在数字电路中，双极型晶体管一般工作于开关状态，其开关特性表现在导通与截止两种不同状态之间的转换。 3.1 晶体管的开关特性 晶体二极管即PN结，具有单向导电性。 近似分析式二极管可以看作是一个理想开关。 严格分析或高速开关电路中则不能看作是理想开关。 理想开关特性： （1）S断开，通过开关电流为0，S电阻无穷大。 （2）S闭合，S两端电压为0，S电阻为0。 （3）开关S接通或断开的动作瞬时完成。 （4）上述开关特性不受其他因素的影响。 3.1.1 晶体二极管的开关特性 1. 二极管稳态开关特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 代表符号 k 阴极 阳极 a 称为开启电压或门限电压，也称为阀值电压。 硅管阀值电压为0.6-0.7V，锗管阀值电压0.2-0.3V。 称为反向饱和电流，数值很小。 电路处于相对稳定的状态下，二极管呈现的开关特性。