第八章 负载开关：按需要提供高效电源.pdfVIP

负载开关：按需要提供高效电源 功率转换器的效率早已经超过了90%，所以，至少就效率而言，改进性能的余地 并不大。事实的确如此。最近,据说有一家分立功率半导体制造商宣布推出一种 功率转换器,其转换效率能提高将近l%。然而,当听了这类消息之后兴奋的心情 稍微平静时,人们就会立刻意识到,转换器的标定效率只有在满负载电流的条件 下 才能达到,而满负载电流这一工作条件与通常的工作条件是有很大差别的。 稳压器也存在类似的限制。例如,低压差稳压器的输出电压究竟能低到甚么 程度,这有助于确定电池供电设备中的充电寿命终点或公用供电系统中低压线路 的电 压可以低到什么程度。这两者都是公认的重要设计因素。不过,尽管稳压器 的功耗低是有益的,但并没有减少在平均供电电压下计算出来的额外功耗,更不 用说减少 在高电压的情况下计算出来的功耗了。 从这一观点来看,将系统的功耗降到最低程度,不仅仅意味着减少电压降,而 且也意味着把电流降至最小。然而,如果给定一组功能特性、制造技术和性能准 则,你就会发现,降低某种功能器件工作电流的能力也迅速地变得不大了。因此, 更准确地说,将系统的功耗降至最低,也意味着把浪费掉的电流降至最低。最新的 封装技术和器件设计的发展趋势是鼓励设计人员越来越多地改用负载开关,即只 在需要时才向各个功能器件供电,而不是让稳压器在同一时间为所有功能器件供 电。 磨尖你的镊子 用作负载开关的分立功率FET 最新发展趋势有三:其一,更多器件采用尺寸 很小的塑料封装和CSP 封装(参考文献1);其二,更多的装配工厂透过拾放、 回 流焊和检验等工艺证明CSP BGA 封装可以用于生产;其三,PMOS 的沟道电阻在已 经接近NMOS 的水平，可以用作高效率的高压侧开关。这三种趋势结合起来,在你 能够自行提供控制信 号的场合,便可以制成非常小的负载开关(图l)。 图1 可以用一个PMOS 沟道器件和一个合适的驱动器组成简单的高压侧负载开关 (a)。 另外一个NMOS 器件和上拉电阻器则起到逻辑反相和电平变换的作用(b) 一向积极开发分立功率MOSFET 和封装技术的公司包括International Rectifier 公司(IR)和Fairchild Semiconductor 公司。IR 的IRF6100 PMOS 器 件(20V、5.lA),其沟道电阻在VGS 为-4.5V 时为65mΩ,在VGS 为-2.5V 时增大到 95mΩ 。售价为0.35 美元(批量 1,000 件)的IRF6l00,采用边长只比l.5mm 稍大 的4 脚CSP 封装,其最大连续漏极电流在温度为70℃时是3.5A(图2)。 图2 International Rectifier 公司把一个20V、5.1A 开关装在边长稍大于1.5mm 的4 脚CSP 的封装中。 Fairchild Semiconductor 公司的FDZ204P,尺寸仅为2×2mm,售价1.02 美 元(批量l,000 件)。这种20V、4.5A 的PMOS 器件的沟 道电阻在VGS 为-4.5V 和 -2.5V 时分别为45mΩ 和75mΩ 。按照不同的测试条件调整标定数据的最大值之 后,其栅极电荷只有l3nC,比 IRF6l00 低20%左右。Fairchild 公司将FDZ204P 置放在l2 脚BGA 封装中。 即使导通电阻仅为毫欧姆数量级,这些小型CSP 也要考虑散热设计的问题 ——颇为出人意料的是要考虑到热阻Rθ JB(PN 结到引脚)和Rθ JC(PN 结 到外 壳)。例如,Fairchild 公司在FDZ204P 说明书上提供的Rθ JB 一般是 11℃/W,Rθ JC 为1℃/W。从PN 结到周围环境的热阻额定值 Rθ JA(该值最终确定 PN 结的温升)则固定不变,为67℃/W,这是根据边长1.5 英寸FR.4 印制电路板上 的1 英寸见方、2 盎司铜制安装焊盘确定的。 从这些散热数据可以得出以下三点结论:首先,印刷电路板的特性和器件与 板之间的散热界面对热设计的限制,要比CSP 内部散热特性对热设计的限制更大。 印刷电路板的布局设计须同时满足导热要求与导电要求。其次,大电流的热效应 ——即使流过很小的沟道电阻——会远远超过CSP 的范围。在元器件密集的设计 中,巧妙地设计铜焊盘就能够减少传导到周围元器件的热量。但是即使布局再巧 妙,也会