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TC R矫正对非制冷探测器微桥热导测试的影响

第44卷 第6期 激 光 与 红 外 V01.44.No.6 2014年6月 LASER INFRARED June,2014 文章编号:1001-5078(2014)06-0629-04 ·红外技术及应用 · TCR矫正对非制冷探测器微桥热导测试的影响 邱宇峰 ,金 晶 ,翟厚明 (1.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海 200072; 2.中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083) 摘 要:VO,薄膜的电阻温度系数 TCR(TemperatureCoefficientofResistance,用 Ot表示)随温 度改变会发生显著变化。因此,以VO 薄膜为热敏材料的非制冷探测器微桥像元采用 1/一 (一 ,2)曲线来测量微桥热导时,如果使用固定TCR数值,必然会对测量结果带来偏差。本文 采用 TCR逐点矫正的方法测量 了非制冷微桥热导,并分析 了有效热导,实验 中的最大热导矫 正率达到20.08%。采用本方法可使非制冷探测器微桥的热导测试结果更为准确,也更具有 实际应用价值。 关键词:非制冷探测器;热导;有效热导;电阻温度系数;微桥 中图分类号 :TN219 文献标识码 :A DOI:10.3969/j.issn.1001—5078.2014.06.008 EffectofTCR correction onmicrobridgethermalconductance testforuncooleddetectors QIUYu—feng一,JINJing,ZHAIHou.ming (1.DepartmentofElectronicInformationMaterials,SchoolofMaterialsScienceandEngineering, ShanghaiUniversity,Shanghai200072,China; 2.KeyLaboratoryofInfraredImagingMaterialsandDetectors,Shanghm InstituteofTechnicalPhysics, ChineseAcademyofSciences,Shanghai200083,China) Abstract:TCR (Temperaturecoefficientofresistance,O/)oftheVO2thinfilmchangeswithtemperature.Sowhenthe thermalconductanceofVO2microbridgepixelistestedbyusingthe1/R(一 )curvemethod,certaindeviationOC— cursiftheTCR istreatedasaconstant.Thetestonthemicrobridgethemr alconductanceoftheuncooleddetectoris carriedoutbyusingtheTCRcorrected1/R一(一 )curvemethodandeffectivethemralconductanceisanalyzed. Thebiggestcorrectionratioreached20.08% intheexperiment.Thismethodmakesthethemr al conductancetestof theuncooleddetectormor

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