PLC第十四章.ppt

* * * * B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 BJT是非线性元件，其工作特性与其工作模式有关： 当EB结和CB结均加正偏时,BJT处于饱和模式; 当EB结加零偏或反偏、CB结加反偏时,BJT处于截止模式。 当EB结加正偏, CB结加反偏时,BJT处于放大模式; BJT主要用途是对变化的电流、电压信号进行放大，饱和模式和截止模式主要用于数字电路中。 二、晶体管的放大原理 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流子的运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 动画 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 穿透电流 集电结反向电流 直流电流放大系数 交流电流放大系数 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1. 输入特性 2. 输出特性 β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 动画 晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 状态 uBE iC uCE 截止 ＜Uon ICEO VCC 放大 ≥ Uon βiB ≥ uBE 饱和 ≥ Uon ＜βiB ≤ uBE 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE≤0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管分别工作于哪个工作区？ 当USB = -2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IC最大饱和电流：（忽略BJT饱和压降） Q位于截止区 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管分别工作于哪个工作区？ IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V时： USB =5V时: 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管分别工作于哪个工作区？ IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 例: 在下图电路中，UCC = 6V，RC = 3k?， RC = 10k?， ? = 25，当输入电压 Ui 分别为 3V，1V和 ?1V时，试问晶体管处于何种工作状态？ 解: 晶体管饱和时的集电极电流近似为 晶体管刚饱和时的基极电流为 (2) 当Ui= 1V时， 晶体管处于放大状态。 (3) 当Ui= - 1V时，晶体管可靠截止。 判断BJT工作状态的一般方法(以NPN管为例) 状 态 方 法 截止 放大 饱和 发射结 反偏或零偏 正偏 正偏 集电极 反偏 反偏 正偏或零偏 极电压 UBEUon UBEUon UBEUon (硅管Uon =0.7V 锗管Uon =0.4V) (临界饱和压降UCES 硅管UCES =0.5V 锗管UCES=0.2V ) UCE≥UBE UCEUBE (UCES UC VCC) (UC=UCES) 极电流IB 0 0 ≥IBS* 极电流IC 0 β IB