PN结简介及形成原理.pptVIP

* PN结简介及形成原理 * 一、相关名词解释： 本征半导体：完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。 杂质半导体：在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质。 N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素，使之取代晶格中硅原子的位子。 P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素,使之取代晶格中硅原子的位置。 载流子：自由电子、空穴（半导体）。 多数载流子、少数载流子： 在P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是电子；在N型半导体中多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 * 二、本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 空穴——共价键中的空位。 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。 客服中心 * 载流子的移动 * 三、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 * 四、杂质半导体 1、N型半导体：因五价杂质原子中 只有四个价电子能与周围四个半导 体原子中的价电子形成共价键，而 多余的一个价电子因无共价键束缚 而很容易形成自由电子。 2、在N型半导体中自由电子是多数 载流子，它主要由杂质原子提供； 空穴是少数载流子, 由热激发形成。 * 4、在P型半导体中空穴 是多数载流子，它主要 由掺杂形成；自由电子 是少数载流子。 3、P型半导体：因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 * 五、PN结的形成 在一块P型半导体，用杂质补偿的方法掺入一定数量的五价元素将这一部分区域转换成N型，则在它们的界面处便生成PN结。 * * 谢谢！