华科模电--CH03-3半导体二极管.pptVIP

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  • 2017-06-16 发布于江西
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华科模电--CH03-3半导体二极管

* * 3.3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。 (a)面接触型 (b)集成电路中的平面型 (c)代表符号 (2) 面接触型二极管 PN结面积大,用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 3.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 V I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压VBR 正向特性 反向特性 反向击穿特性 3.3.2 二极管的伏安特性 二极管的主要特性: 单向导电性 3.3.3 二极管的主要参数 最大整流电流IF 二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。 (2) 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值 (3) 反向电流IR 反向饱和电流 (4) 正向导通压降VF (5) 极间电容CJ(CB、 CD ) end PN结的高频等效电路

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