华科模电--CH03-2 PN结的形成及特性.pptVIP

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  • 2017-06-16 发布于江西
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* * 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.2.1 载流子的漂移与扩散 漂移运动: 在电场作用下引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动: 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。 P型半导体 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。 空间电荷区, 也称耗尽层。 3.2.2 PN结的形成 内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。 3.2.2 PN结的形成 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 对于P型半导

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