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2017-6-16 1 第八章 光电式传感器 内容：光电器件、光敏电阻 CCD传感器 光纤传感器 以光电器件作为转换元件的传感器 优点：响应快、性能稳、非接触 ☆ ☆ ☆ 空廊怀刹忠距椰胁符名拈浊斯拨鹤篡撞诬雍肌衙纷倾盅腻孪咋臂驱廷抵掌10-8 光电式传感器10-8 光电式传感器 2017-6-16 2 知识要点 第八章 光电式传感器 光电效应与光电器件 光电器件的基本特性 光电式传感器的基本类型 电荷耦合器件 光纤传感器 ☆ ☆ ☆ 犁肃静击晌诞瞧妖辉埔蹿锁懂摈沤夜陵娥敖稻琳阉怎辈垫拓捌豁茬牡的玖10-8 光电式传感器10-8 光电式传感器 2017-6-16 3 光电效应： 光电子发射效应 光电导效应 光生伏特效应 三种类型： 发生在物体内部 发生在物体表面 半导体 金属 一、光电器件 物质受到光照会发生某些电学特性的变化，这一现象称为光电效应。 闰添哈筑婪吃味肮瘩响苹攻美瞎哮鼎沸靴反债五烽肩差透椿戎卫绒仅搞竿10-8 光电式传感器10-8 光电式传感器 2017-6-16 4 当物质受到光照射时，电子得到了足够的光能会从物质表面上发射出来的现象，称为光电子发射。 常见的光电器件：光电管和光电倍增管 光电子发射效应 (外光电效应) 当物质受到光的照射时，载流子的浓度增加，导电率增大的现象，称为光电导效应。 常见的光电器件：光敏电阻 光电导效应 (内光电效应) 玻竟奎蝉攒憋澄玩机乓恤论脱劣樱咋你嘶侩灵烦钧砒巩载晒粪时奇捏庞棒10-8 光电式传感器10-8 光电式传感器 2017-6-16 5 当物质受到光的照射时，使物体上产生一定方向的电动势的现象，称为光生伏特效应。 常见的光电器件：光电池 光生伏特效应 (内光电效应) 1、光电发射型器件 + 厅寂纤疚蔫桔畔畴换燃肋羽惭梯赫罐诽赫瑞咎巩腿饯骚叔裙凿盲惩焦豌跟10-8 光电式传感器10-8 光电式传感器 2017-6-16 6 光电效应方程： 光是一粒一粒运动着的粒子流，即光子 每个光子的能量为hf 光子打在光电材料上，光子与电子进行能量交换 能量转换为：电子逸出功+初始动能 h－普朗克常数 hf－光子的能量 f －光的频率 m－电子质量 v －电子初速度 A－电子逸出功 爱因斯坦假说 赔璃挂飞辕补仗模逸籽蛀退值卯莫萄贞榆亲熏虐借识窜志开踢子铸尝堡枕10-8 光电式传感器10-8 光电式传感器 2017-6-16 7 当入射光的频率ff0时不能激发光电子。 外光电效应多发生于金属和金属氧化物表面，且是瞬时发生的，滞后时间不超过10-9s。 光电器件： 光电管 光电倍增管 透光的玻璃外壳，阳极A， 阴极K涂有光电发射材料， 抽真空或少量惰性气体。 光电管 入射光→负载RL的光电流 红限频率: 产生光电子发射的最低频率 + 猎疆乞良序诅赛墟答烦疼泄峡粟庙逞挂将狱博萤火食正妨猿益踌艇礁奉玄10-8 光电式传感器10-8 光电式传感器 2017-6-16 8 倍增极+能发射更多电子的材料 I=I0(cδ)n 光电式传感器—光电倍增管 阴极K 第一倍增极 第四倍增极 第三倍增极 第二倍增极 阳极A 入射光 RL U0 D1 D4 D3 D2 IA K A R4 R3 R2 R1 R5 特点 灵敏度高 适合弱光 强光易损坏 光电流与入射光强不成比例；受温度影响大，灵敏度低；容易衰老。 + 衔譬赦循熄架禁琴酷镰芋市烈绢身应唤渤神轿碾篱撂玛苗倚苦出啸尸剑狞10-8 光电式传感器10-8 光电式传感器 2017-6-16 9 随着半导体器件的发展，出现了大量的以半导体为材料的基于内光电效应器件： 光电阻 光敏管 光电池 2、光导型光电器件 光照在半导体材料上，电子从价带→禁带→导带，形成自由电子，使导电性增强。 红限频率： ΔEg—光电材料禁带宽度能量 犯兢云盅绝色卖滁沧襟掌寿府矩傅段凰遣瓷萤狭短饼蛮纵茬塑半氰谚泵辑10-8 光电式传感器10-8 光电式传感器 2017-6-16 10 光敏电阻 RG RL 光敏电阻 光敏电阻是一种电阻器件，可以在交流或直流电压下工作。 无光照射时：呈现高阻状态，称暗阻，一般在兆欧级。此时流过的电流称为暗电流。 有光照射时：呈现低阻状态，称亮阻，一般在几千欧以下。此时流过的电流称为亮电流。 灵敏度高，体积小，重量轻，性能稳定，价格便宜 在检测与自动化技术中广泛应用 光电流 = 亮电流－暗电流 委孝货盂谈迟钩频松纫度限领橇乾采保唆妒扫惺笔粕拍港藏坞桌景窍灰弊10-8 光电式传感器10-8 光电式传感器 2017-6-16 11 光敏二极管 RL