半导体元器基础知识.ppt

半导体器件;半导体的基础知识 ; 本征半导体是一种纯净的半导体晶体。常用的半导体材料是单晶硅（Si）和单晶锗（Ge）。半导体硅和锗都是4价元素，其原子结构如图:;单晶硅的共价键结构; 本征半导体如果能从外界获得一定的能量（如光照、温升等），有些价电子就会挣脱共价键的束缚而成为自由电子，在共价键中留下一个空位，称为“空穴”。空穴的出现使相邻原子的价电子离开它所在的共价键来填补这个空穴，同时，这个共价键又产生了一个新的空穴。这个空穴也会被相邻的价电子填补而产生新的空穴，这种电子填补空穴的运动相当于带正电荷的空穴在运动，并把空穴看成一种带正电荷的载流子。空穴越多，半导体的载流子数目就越多，因此形成的电流就越大。; 在本征半导体中，空穴与电子是成对出现的，称为电子—空穴对。其自由电子和空穴数目总是相等的。本征半导体在温度升高时产生电子—空穴对的现象称为本征激发。温度越高，产生的电子—空穴对数目就越多，这就是半导体的热敏性。 在半导体中存在着自由电子和空穴两种载流子，而导体中只有自由电子这一种载流子，这是半导体与导体的不同之处。 ; 在本征半导体中掺入微量的杂质元素，就会使半导体的导电性能发生显著改变。根据掺入杂质元素的性质不同，杂质半导体可分为P型半导体和N型半导体两大类。;P型半导体的共价键结构; 在P型半导体中，原来的晶体仍会产生电子—空穴对，由于杂质的掺入，使得空穴数目远大于自由电子数目，成为多数载流子(简称多子)，而自由电子则为少数载流子(简称少子)。因而P型半导体以空穴导电为主。;N型半导体的共价键结构;PN结;PN结的单向导电性; PN结的单向导电性 （a）正向连接; （b）反向连接;PN结反向偏置——截止 将PN结按上图（b）所示方式连接（称PN结反向偏置）。由图可见，外电场方向与内电场方向一致，它将N区的多子（电子）从PN结附近拉走，将P区的多子（空穴）从PN结附近拉走，使PN结变厚，呈现出很大的阻值，且打破了原来的动态平衡，使漂移运动增强。由于漂移运动是少子运动，因而漂移电流很小；若忽略漂移电流，则可以认为PN结截止。 综上所述，PN结正向偏置时，正向电流很大；PN结反向偏置时，反向电流很小，这就是PN结的单向导电性。;半导体二极管; 半导体二极管的结构及符号 （a）点接触型结构;（b）面接触型结构; ; 半导体二极管的结构及符号 （c）集成电路中的平面型结构; （d）图形符号;半导体二极管的主要参数;单相半波整流电路;特殊二极管; 稳压管的伏安特性曲线、图形符号及稳压管电路 ?（a）伏安特性曲线;（b）图形符号;（c）稳压管电路 ; 2. 光电二极管; 光电二极管 （ａ）图形符号;（ｂ）等效电路;（ｃ）特性曲线;3. 发光二极管; 发光二极管常用来作为显示器件，除单个使用外，也常做成七段式或矩阵式器件。发光二极管的另一个重要的用途是将电信号变为光信号，通过光缆传输，然后再用光电二极管接收，再现电信号。图下（b）所示为发光二极管发射电路通过光缆驱动的光电二极管电路。在发射端，一个0～５V的脉冲信号通过500Ω的电阻作用于发光二极管（LED），这个驱动电路可使LED产生一数字光信号，并作用于光缆。由LED发出的光约有20%耦合到光缆。在接收端，传送的光中，约有80%耦合到光电二极管，以致在接收电路的输出端复原为0～５V电压的脉冲信号。;发光二极管 （a）图形符号; （b）光电传输系统; 4. 变容二极管 ;变容二极管 （a）图形符号;（b）结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度） ;惟勾辩陇檄拥屈折沈变齿绿命锅聊壬肪疯带配楷汇独畦汽宪剪帆汝抬挠乔半导体元器件基础知识半导体元器件基础知识;半导体三极管;半导体三极管的结构和类型;三极管的组成与符号 （a）NPN型; （b）PNP型; 为使三极管具有电流放大作用，在制造过程中必须满足实现放大的内部结构条件，即： ? （1）发射区掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度，以便于有足够的载流子供“发射”。 （2）基区很薄，掺杂浓度很低，以减少载流子在基区的复合机会，这是三极管具有放大作用的关键所在。 （3）集电区比发射区体积大且掺杂少，以利于收集载流子。 由此可见，三极管并非两个PN结的简单组合，不能用两个二极管