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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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聚合物发光二极管中的负电容效应!
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黄文波 曾文进 王 藜 彭俊彪
!）（华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 $!%’% ）
）（华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室，广州 $!%’% ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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采用交流阻抗谱技术，研究了以共轭聚合物（ ［ ，（ ）， ］）（
+,-. /0123,4. $/ 5/123.-314,4. /! ’/+316.-161786.-161 9:;/
）为发光层，以带有胺基的聚芴共聚物 ［（， （ （ ， ） ）， ） ，（，
= +,-. /?8@ *5/ ! !/A80123.-B086, +C,+.- / (/D-E,C161 /B-2/ (/ /
）］（ ）为电子传输层的发光二极管的交流响应特性 对于结构为
A8,F2.-D-E,C161 G/HI J KLMN:OMLN 9:;/=NG/HI N
P- 的发光器件，交流阻抗谱中出现了负电容效应（ ），根据对其 图的分析，
61QB2871 FB+BF82B6F1 R,-1/R,-1 9:;/=NG/
界面的交流响应可用一个 并联电路来模拟，实验结果表明， 层既是电子传输层同时又充当了空穴
HI # G/HI
#
阻挡层的作用，并给出了解释这种以G/HI NP- 为阴极的器件效率提高的微观机理J
关键词： ，聚合物发光二极管，交流阻抗谱，负电容效应
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