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Chap5 场效应管及其放大电路;场效应管;引言;引言;Chap5 场效应管及其放大电路;5.3 结型场效应管（P225）;5.3.1 JFET的结构;5.3.1 JFET的结构;5.3.1 JFET的结构;5.3.1 JFET的结构;2. 工作原理（P226） ;2. 工作原理（P226）;2. 工作原理（P227）;2. 工作原理（P227）;2.N沟道结场效应管原理;2.N沟道结场效应管原理;2.N沟道结场效应管原理;2.N沟道结场效应管原理;2.N沟道结场效应管原理;3.结型场效应管的特性曲线 ;结型场效应管的工作状态可划分为四个区域。 (a) 可变电阻区 可变电阻区位于输出特性曲线的起始部分，它表示vDS较小、管子预夹断前，电压vDS与漏极电流iD间的关系。 在此区域内有VP＜vGS≤0，vDS＜vGS－VP。当vGS一定，vDS较小时，vDS对沟道影响不大，沟道电阻基本不变，iD与vDS之间基本呈线性关系。若 | vGS | 增加，则沟道电阻增大，输出特性曲线斜率减小。所以，在vDS较小时，源-漏极间可以看作是一个受vGS控制的可变电阻，故称这一区域为可变电阻区。这一特点常使结型场效应管被作为压控电阻而广泛应用。 ; (b) 饱和区(恒流区、线性放大区) 当VP＜vGS≤0且vDS≥vGS－VP时，N沟道结型场效应管进入饱和区，即图中特性曲线近似水平的部分。它表示管子预夹断后，电压vDS与漏极电流iD间的关系。饱和区的特点是iD几乎不随vDS的变化而变化，iD已趋于饱和，但它受vGS的控制。 增加，沟道电阻增加，iD减小。场效应管作线性放大器件用时，就工作在饱和区。 图1中左边的虚线是可变电阻区与饱和区的分界线，是结型场效应管的预夹断点（vDS=vGS-VP）的轨迹。显然，预夹断点随vGS改变而变化，vGS愈负，预夹断时的vDS越小。 (c) 击穿区 管子预夹断后，若vDS继续增大，当栅-漏极间P+N结上的反偏电压vGD增大到使P+N结发生击穿时，iD将急剧上升，特性曲线进入击穿区。管子被击穿后再不能正常工作。 (d) 截止区(又称夹断区) 当栅-源电压 ∣vGS ∣Vp 时，沟道全部被夹断，iD≈0，这时场效应管处于截止状态。截止区处于输出特性曲线图的横座标轴附近(图1中未标注)。 ;（2）转移特性曲线 转移特性曲线用来描述vDS取一定值时，iD与vGS间的关系的曲线，即:;4.结型场效应管主要参数 (1). 夹断电压VP 当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 (2). 饱和漏极电流IDSS 在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的最大电流。 (3). 直流输入电阻RGS 它是在漏-源极间短路的条件下，栅-源极间加一定电压时，栅-源极间的直流电阻。 (4). 低频跨导gm 当vDS为常数时，漏极电流的微小变化量与栅-源电压vGS的微小变化量之比为跨导，即 ;gm反映了栅-源电压对漏极电流的控制能力，是表征场效应管放大能力的一个重要参数。单位为西门子(s)，有时也用ms或?s表示。在放大电路中，场效应管工作在饱和区(恒流区)，gm可由式求得，即 ;5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 ;5.1 MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;1.结构 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。 然后在半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。 在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。 它的栅极与其它电极间是绝缘的（又称绝缘栅场效应管）。; 图1 MOS管的结构 ; ;2. 工作原理;2. 工作原理;2. 工作原理;2. 结论;2 工作原理;2．;2．当vGSVT 时，研究vDS对iD的影响;3．特性曲线;;4.参数; ;1. 基本结构 ;原因：N沟道耗尽型MOS管的SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+，如图4.3.4(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏－源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。 vGS0:栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大。 vGS0:沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。;（2）电流方程 在