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;第三章 光生伏特器件 ;第3章 光生伏特器件 ;1、光电二极管的基本结构 ;2、光电二极管的电流方程 ;当光辐射作用到如图3-1（b）所示的光电二极管上时， ; 在光电技术中常采用重新定义电流与电压正方向的方法把特性曲线旋转成如图3-4所示。重新定义的电流与电压的正方向均以PN结内建电场的方向相同的方向为正向。 ; 显然，当某波长λ的辐射作用于光电二极管时，其电流灵敏度为与材料有关的常数，表征光电二极管的光电转换特性的线性关系。必须指出，电流灵敏度与入射辐射波长λ的关系是复杂的，定义光电二极管的电流灵敏度时通常定义其峰值响应波长的电流灵敏度为光电二极管的电流灵敏度。在式（3-3）中，表面上看它与波长λ成正比，但是，材料的吸收系数α还隐含着与入射辐射波长的关系。因此，常把光电二极管的电流灵敏度与波长的关系曲线称为光谱响应。 ;4. 噪声 ;;3.2.3 硅光电池 ;1. 硅光电池的基本结构和工作原理;2. 硅光电池工作原理 ; 从曲线可以看出，负载电阻RL所获得的功率为 PL=ILU （3-17） 其中，光电池输出电流IL应包括光生电流IP、扩散电流与暗电流等三部分，即 ;3. 硅光电池的输出功率 ; 通过对式（3-19）求关于RL的1阶倒数，当RL=Ropt时，求得最佳负载电阻Ropt的阻值。 在实际工程计算中，常通过分析图3-11所示的输出特性曲线得到经验公式，即，当负载电阻为最佳负载电阻时，输出电压U=Um ;硅光电池的最佳负载电阻Ropt为 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;4.光电池的光电转换效率 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;第四章 光电发射器件;4.4 光电倍增管的供电电路; 如图4-8所示为典型光电倍增管的电阻分压式供电电 路。电路由11个电阻构成电阻链分压器，分别向10级倍增; 考虑到光电倍增管各倍增极的电子倍增效应，各级的 电子流按放大倍率分布，其中，阳极电流Ia最大。因此， 电阻链分压器中流过每级电阻的电流并不相等，但是，当 流过分压电阻的电流IR远远大于Ia时，即 IR ＞＞ Ia时，流 过各分压电阻Ri的电流近似相等。工程上常设计IR大于等 于10倍的Ia电流。;G ? (0.2)n U DD;C3 ? 2;? 4.4.3 电源电压的稳定度 对式（4-8）与式（4-9）进行微分，并用增量形式 表示，可得到光电倍增管的电流增益稳定度与极间电压;认识倍增管：; 在实际应用中常常对电源电压稳定度的要求简单地认为高于输 出电压稳定度一个数量级。例如，当要求输出电压稳定度为1%时， 则要求电源电压稳定度应高于0.1%。 例4-1 设入射到PMT上的最大光通量为φv=12×10-6lm左右，当采 用GDB-235型倍增管为光电探测器，已知它的倍增级数为8级，阴 极为SbCs材料，倍增极也为SbCs材料，SK=40μA/lm，若要求入射 光通量在6×10-6lm时的输出电压幅度不低于0.2V，试设计该PMT 的变换电路。若供电电压的稳定度只能做到0.01%，试问该PMT变 换电路输出信号的稳定度最高能达到多少？; Iamin=UO/Ra=0.2V /82 kΩ=2.439μA 入射光通量为0.6×10-6lm时的阴极电流为