新的挑战！高功率高亮度发光二极管的封装热特性参数解析.PDFVIP

新的挑战！高功率/高亮度发光二极管的封装热特性参数 本文来源 Electronics Cooling Magazine Vol.14, No.2 ，翻译by lelele@263.net. 原文见/html/2008_may_a1.php 作者：Li Zhang ，Philips Lumileds Lighting Theo Treurniet，Philips Lighting 前言 近年来，高功率/高亮度发光二极管（LEDs ）在照明中的应用越来越多，其功率密度也越 2 来越大（最新的产品的功率已经高达200-300W/cm ）；因此，将LED 内部的晶片温度维持在 一个较低的水平也变得非常困难。并且，出于成本、噪音和可靠性的考虑，使用主动散热的 方式并不现实；而传统光源中所常用的辐射散热的方式也由于LED 内部的晶片温度较低而难 以奏效。 LED 内部的晶片温度，通常也被叫做“结温”，对其光学性能和可靠性有着很大的影响。 例如，较高的晶片温度会使得发光效率降低（以单位功率产生的光通量表示），并造成色点和 色温的漂移。发光效率的退化在很大程度上是由内量子效率的降低所引起的。而长时间处于 [1] [1-2] 高温之下也会造成欧姆接触 和磷化物 的退化，退化会使得发光效率逐渐降低或者灾难性 的故障[3]可以理解为突然性的实效，“灾难性的故障”是可靠性中常用的，用来“恐吓”老 板的词 ^_^ 。 获得 LED 的晶片温度通常需要测量一些相关的电/光参数，通过电/光参数和晶片温度之 间已知的关系推算出来。其中，正向电压测试法最为常用[4] 。红外照相的方法能够得到LED 内部晶片的表面温度分布图，便于了解表满的温度梯度。还有其他一些方法可参考相应的文 [5] [6] [7] 献：如峰值波长偏移法 ，液晶涂敷法 ，光谱分析法 等。 使用单一结温来描述LED 内部晶片的温度是很常用的方式，但当内部晶片上的温度梯度 较大的时候，这种描述就显得含糊不清。通常认为结温是内部晶片的平均温度，尽管这仍待 [8] 考证；并且将结温和设备的可靠性联系在一起也是有争议的 。而对于大功率的LED 设备， 过热引起的失效往往是局部现象，最好考量失效部位的温度。 IC 封装中常用的“热阻”也常用于描述LED 的封装，其中Θ 和Θ 要比Θ 使用的更 JB JC JA [9] 为广泛。由于高功率的LED 封装旁边存在着散热块；如果参照当前的JESD51 系列标准 来 描述LED ，很难用相应的条款明确环境温度或是参考温度。因此，现在急需对LED 热阻的测 量和报告进行规范，这样可以减少在LED 热阻上认识的矛盾，对LED 的生产者和用户都有 好处。 LED 晶片温度的测量 LED 内部晶片的正向电压和温度通过一个叫做K 因子的系数联系在一起。即使是在同一 生产批次中，K 因子的变化使得每个单独的封装都需要校准。 测量正向电压可以反映功率阶跃函数，通过瞬态的方法可以生成一个构造函数。当把这个 构造函数与实际的封装结构结合起来就能够从物理等角度洞察热传的路径[4] 由于不是做 LED 的，况且对电的认识很浅，附原文供参考：Measuring the forward voltage response to a power step function, the transient method can generate the so-called structure functions. These structure functions, when combined with the actual device structure, can provide physical insights into the heat transfer path [4]. 红外成像也可以用于测量LED 的内部晶片的温度，但仅有内部晶