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综述： 原因： 不等位电压 寄生直流电压 电极和引线布置不合理 五、霍尔开关集成传感器 霍尔效应 集成电路技术 开关信号 磁敏传感器 1、结构及工作原理 稳压 材料：硅 工艺：硅平面工艺 提高灵敏度 N型硅外延层很薄 集成工艺 工作原理： 有磁场：VH，放大，整形： 开启阈值，高电平 VT导通，具有吸收电流的负载能力 磁场减弱：VH 减小，放大，整形： 关闭阈值， 翻转，低电平，VT截止 开状态 关状态 2、工作特性 12 10 8 6 4 2 0 —— 工作点“开” —— 释放点“关” —— 磁滞 高?低，开状态 低?高，关状态 3、接口电路 3020T 外形 应用电路 K K 4、磁场施加方式 2.5 5 7.5 10 12.5 15 17.5 20 0.10 0.09 0.08 0.07 0.06 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 0 （1）磁铁轴心接近式 两轴心方向重合 2.5 5 7.5 10 12.5 15 17.5 20 0.10 0.09 0.08 0.07 0.06 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 0 （2）磁铁侧向滑近式 两平面距离不变， 磁铁轴线与传感器 平面垂直 （3）采用磁力集中器增加传感器的磁感应强度 0 2.5 5 7.5 10 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 六、霍尔线性集成传感器 1、结构及工作原理 输出电压与外加磁场强度呈线性比例关系 构成：霍尔元件、放大器、稳压、 电流放大输出级、失调调整、线性度调整 稳压 单端输出：SL3501T 双端输出：SL3501M 稳压 2、主要技术特性 -0.3 -0.2 –0.1 0 0.1 0.2 0.3 5.6 4.6 3.6 2.6 1.6 SL3501T 输出特性曲线 0.04 0.08 0.12 0.16 0.20 0.24 0.28 0.32 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 SL3501M 输出特性曲线 霍尔线性集成传感器的技术参数 七、霍尔传感器的应用 1、霍尔位移传感器 磁场梯度越大，灵敏度越高 磁场梯度越均匀，输出线性越好 测量范围：1 ~ 2 mm 2、磁感应强度测量仪 A SL3501M ： 霍尔线性集成传感器 RP1：调整表头量程 RP2：调零 C1：低通滤波 测量上限：0.3 T 3、直流功率测量仪 V * * 磁敏传感器 磁场 电能 测量原理：半导体材料中的自由电子及空穴 随磁场改变其运动方向 结构 结型 体型 霍尔传感器 磁敏电阻 —— 磁敏二极管 磁敏三极管 —— §7-1 霍尔传感器 一、霍尔效应 —— 霍尔元件灵敏度 —— 霍尔电势 1、定义 霍尔：1879年 半导体 2008-10-3 * 　　　霍尔效应是指：半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过时，在垂直于电流和磁场的方向上产生电动势，这种现象称为霍尔效应。这一物理现象称为霍尔效应，所产生的电势称为霍尔电势。 c d a b 2、霍尔电势的产生 N型半导体： 洛仑兹力 电场力 动态平衡 P型： 霍尔系数 电流 或 或 半导体 绝缘体 金属 材料：锗、硅、砷化镓、砷化铟、锑化铟 灵敏度低、温度特性及线性度好 灵敏度最高、受温度影响大 输入1 输入2 输出1 输出2 磁性顶端 引线 衬底 霍尔元件 溅射工艺制作的 锑化铟霍尔元件 霍尔系数RH= p u，其中p 为载流体的电阻率， u为载流子的迁移率，半导体材料（尤其是N型半导体）电阻率较大，载流子迁移率很高，因而可以获得很大的霍尔系数，适于制造霍尔传感器。（金属的自由电子浓度大，产生的霍尔电势小，不宜作为霍尔元件。） 1）霍尔电势UH与材料的性质有关。 2）霍尔电势UH与元件的尺寸有关。 (1)根据公式，d越小，霍尔灵敏度越高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但d太小，会使元件的输入、输出电阻增加。 (2)从式中可以看出，元件的长宽比对UH也有影响。由于控制电极（激磁电流输入输出端）对内部产生的霍尔电势有局部短路作用，在两控制电极的中间出测量的霍尔电势最大，离控制电极很近的地方，霍尔电势下降到接近于零。为减少短路影响，长宽比要大一些，但如果过大，反而使输入功耗增加，降低元件的输