半导体器件物理CH2-4.ppt

2.2 异质结 在两种不同的半导体之间形成的结 1。基本器件模型 2.3 金属-半导体接触 导电类型相同?同型异质结 导电类型不同?异型异质结 发光二级管 光电探测器 太阳电池 基本器件模型 异质结器件 主要内容: 形成异质结的两种材料通常具有不同的能隙宽度Eg和介电常数 ? 。 理想突变异质结的能带模型 功函数 ?m 电子亲合势 ? 从费米能级将一个电子移到刚巧在该种材料之外的一个位置(真空能级)所需的能量 从导带底将一个电子移到刚巧在该种材料之外的一个位置(真空能级)所需的能量 带阶 价带边的能量差 ?EV ?价带带阶 Anderson 异质结能带模型 几个概念 导带边的能量差 ?EC ?导带带阶 能够初步解释部分输运过程 两种材料晶格结构、晶格常数、热膨胀系数相同，忽略悬键的产生和界面态。 1。基本器件模型 两片孤立半导体能带图 理想n-p异质结（窄带隙的n型和宽带隙的p型） 形成结时，热平衡状态下理想n-p异质结的能带图 平衡时： 1。基本器件模型 1和2 在结处各形成耗尽区=x1+x2 结处能带弯曲： 1中局部电子耗尽，能带向上弯 2中局部空穴耗尽，能带向下弯 真空能级在各处平行于带边； 费米能级在两侧一致； 总内