半导体器件物理(第二章 PN结).pptVIP

2.4 PN结的击穿特性 2.4.2 雪崩击穿电压 如图给出了突变结的雪崩击穿电压与低掺杂一侧杂质浓度的关系曲线，对N型和P型的材料都适用。杂质浓度决定了材料的电阻率，所以为了获得所需的击穿电压，原材料的电阻率要注意选择合适的数值。 突变结击穿电压 2.4 PN结的击穿特性 突变结击穿电压 如图给出了线性缓变结与杂质浓度梯度的关系曲线。从图中可以看出，可以采用降低杂质浓度梯度的方法来提高击穿电压。 雪崩击穿电压不光跟低掺杂区的杂质浓度或杂质浓度梯度有关，还跟材料的禁带宽度有关。在相同的条件下，禁带宽度大的材料，雪崩击穿电压高。 2.4 PN结的击穿特性 2.4.3 影响雪崩击穿电压的因素 杂质浓度的影响 2.外延层厚度的影响 如果外延层厚度小于PN击穿时的势垒区宽度，反向击穿电压将降低。 微电子技术专业 2.1 平衡PN结 2.1.1 PN结的形成与杂质分布 合金法制造PN结 N-Ge N-Ge N-Ge In In+Ge P-Ge Xj NA-ND O xj x P型杂质 SiO2 光刻窗口 P-Si N-Si N-Si N-Si 氧化 光刻 扩散 Xj 扩散法制造PN结 NA-ND O xj x 2.1 平衡PN结 NA-ND O xj x P-Si N-Si Xj 离子注入法制造PN结 2.1 平衡PN结 2.1.2 PN结的能带图 空间电