半导体器件作业有资料.docx

半导体硅材料的晶格结构是（ A ）A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（ C ）Ａ金属Ｂ半导体Ｃ绝缘体硅单晶中的层错属于（ C ）Ａ点缺陷Ｂ线缺陷Ｃ面缺陷施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ A B ）。A 空穴 B 电子砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ）A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合衡量电子填充能级水平的是（ B ）Ａ施主能级Ｂ费米能级Ｃ受主能级 D 缺陷能级载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( B ) 的一个物理量。A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢室温下，半导体 Si中掺硼的浓度为 1014cm－3，同时掺有浓度为 1.1×1015cm－3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升温至 570K，则多子浓度约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（ I ）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm－3，570K 时，ni≈2×1017cm－3）A 1014cm－3 B 1015cm－3 C 1.1×1015cm－3 D 2.25×105cm－3 E 1.2×1015cm－3 F 2×1017cm－3 G 高于Ei H 低于Ei I等于Ei载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。A 漂移 B 隧道 C 扩散10. 下列器件属于多子器件的是（ B D ）Ａ稳压二极管Ｂ肖特基二极管Ｃ发光二极管 D 隧道二极管11. 平衡状态下半导体中载流子浓度 n0p0=ni2，载流子的产生率等于复合率，而当 npni2 时，载流子的复合率（ C ）产生率Ａ大于Ｂ等于Ｃ小于12. 实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ A ）Ａ重掺杂的半导体与金属接触Ｂ轻掺杂的半导体与金属接触13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是（ C ）A BVCEO B BVCBO C BVEBO 14．MIS 结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ B ）。（ VS为半导体表面电势；qVB=Ei-EF）A VS=VB B VS=2VB C VS=015．晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得（ C ）A．较厚 B．较薄 C．很薄 16．pn结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（ A ）。A．展宽 B．变窄 C．不变17．在开关器件及与之相关的电路制造中，（ C ）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。 A 钝化工艺 B 退火工艺 C 掺金工艺18．在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（ B ）。 A 饱和电压 B 击穿电压 C 开启电压19．真空能级和费米能级的能值差称为（ A ）A 功函数 B 亲和能 C 电离电势20. 平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（ A ）A 发射区 B 基区 C 集电区21．栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成 P 沟道，该 MOSFET 为（ A ）A P 沟道增强型 B P 沟道耗尽型 C N 沟道增强型 D N 沟道耗尽型二、判断题（共 20 分，每题１分）１．（√）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。２．（√）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。３．（×）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。４．（×）杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。５．（√）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。６．（√）非简并半导体处于热平衡状态的判据是 n0p0=ni2。７．（√）MOSFET 只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。８．（√）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。９．（×）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。10．（√）MOS 型的集成电路是当今集成电路的主流产品。１１．（√）平衡 PN 结中费米能级处处相等。１２．（√）能够产生隧道效应的 PN 结二极管通常结的两边掺杂都很重，杂质分布很陡。１３