传感与控制-集成霍尔传感器的原理、结构、特性和应用.pdfVIP

集成霍尔传感器的发展 白韶红 集成霍尔传感器的发展 DevelopmentofIntegratedHallTransducer 白韶 (北京市城市建设工程研究院，北京 100029) 摘 要 首先总结了 lO0多年来霍尔效应应用的三个阶段 ，然后介绍各种集成霍尔元件、集成霍尔传感器的原理 、结构、特性和应用 ， 最后论及到当前新型的量子、等离子霍尔传感器。对霍尔传感器的发展趋势和特点进行了总结。 关键词 霍尔传感器 集成传感器 霍尔效应 发展动向 Ab醴眦 t Firstly，thehtreephasesofapplicationofHalleffectin lO0yearsaresummarized，Then，theprinciple，slaucRIte，featmeandappliactionofvar- iousintegratedHallelementsandHalltrsnsducei~arenitroduced．Finally。thelatestnew quantum andplasmaHall砸 IdI】cersare麟p0uIed．n】edevel- 叩iIlgtrendandfeaturesofHall 邮 arealsosunmm4zed， l words HallmmscIucer Integrated也msduoer Halleffect 1)evelop~ trend 1 概述 2 各种集成霍尔元件 100多年来 ，霍尔效应的应用经历 了三个阶段 ： 2．1 霍尔效应简述 第一阶段是从霍尔效应 的发现到 20世纪 40年代 如 图 1所示 ，如果将一块载流导 电板放入垂直于 前期。最初，由于金属材料 中的电子浓度很大，而霍尔 它的磁场 中，当有 电流通过导电板时，将在它的上 、下 效应十分微弱，所 以没有引起人们的重视。这段时期 两侧产生一个 电位差。实验发现，在磁场不太强的情 也有人利用霍尔效应制成磁场传感器 ，但实用价值不 况下 ，该 电位差 与电流强渡 ，和磁感应 曰成正比， 大，到了 1910年有人用金属铋制成霍尔元件，作为磁 与导 电板 的厚度 d成反 比，即 场传感器 。但是，由于当时未找到更合适的材料 ，研究 VH= (，·B／d) 处于停顿状态 。 式中： 为霍尔 电势或 电压；克为霍尔 (灵敏度)系数 ， 第二阶段是从 20世纪40年代 中期半导体技术出 V／AT。霍尔 电势形成 的机理是 ，带 电粒子在磁场 中 现之后，随着半导体材料 、制造工艺和技术的应用 ，出 运动时，将受到洛伦兹力的作用，使带电粒子发生偏 现了各种半导体霍尔元件，特别是锗的采用推动了霍 转 ，产生一个垂直于其运动方 向的电动势，即霍尔 电 尔元件的发展，相继出现了采用分立霍尔元件制造的 势 。 各种磁场传感器 、磁罗盘、磁头 、电流传感器、非接触开 关 、接近开关、位置 、角度 、速度、加速度传感器、压力变 送器、无刷直流 电机 以及各种函数发生器、运算器等， 应用十分广泛 。 第三阶段是 自20世纪 60年代开始，随着集成 电 路技术的发展，出现 了将霍尔半导体元件和相关 的信 号调节电路集成在一起 的霍尔传感器。进入 20世纪 80年代 ，随着大规模超大规模集成 电路和微机械加工 技术 的进展 ，霍尔元件从平面 向三维方向发展 ，出现 了 图 1 霍尔效应原理 三端 口或四端 口固态霍尔传感器，实现了产品的系列 2．2 双极平行元件 化、加工的批量化 、体积的微型化 。此外，20世纪 70年 图2是采用标准双极 (bipolar)工艺制成 的霍尔元 代末 ，美国科