基础知识 存储器产品制造工艺概要.ppt

Confidential 谨以此机会共勉: 爱心、细心、耐心、责任心去建设一流的代工生产线。 1 个别工艺介绍 1.1 Photo Lithograph(PR) 光刻 1.2 Etching 腐蚀技术 1.3 Ion Implant 离子注入 1.4 CVD(Chemical Vapor Deposition) 化学气相沉积 1.5 Diffusion 扩散 1.6 Sputter 金属溅射 2产品制造工艺流程概要 2.1 硅基板的选择 2.2 Well的形成 2.3 器件隔离 2.4 源漏栅的形成 2.5 存储单元的形成 2.6 布线技术 2.7 Cover 层的形成 1.1 Photo Lithograph(PR) 光刻 在使用掩膜进行光或X线曝光时，将掩膜图形，或在使用不需要掩膜的电子束曝光时，将数据式图形复制在半导体硅片表面的光刻胶上，形成光刻胶像。在LSI制造过程中，一般需用20-30道光刻工序。现在的主流技术都采用紫外线(UV)为光源。 光源有 :水银灯 g线(波长:436nm) I线(波长:365nm) 激光 KrF (波长:248nm) 波长越短有助于形成更精细的图形。 工艺流程包括以下几个方面: 1.光刻胶的涂覆 2.预烘 3.曝光 4.显影 5.后烘 6.腐蚀(离子注入) 7.光刻胶的去除 1.2 Etching 腐蚀技术