MOCVD 法横向外延过生长GaN 薄膜 - 深圳大学.PDFVIP

第28 卷 第2 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.28 No.2 2009 年 2 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Feb. 2009 综 述 MOCVD 法横向外延过生长 GaN 薄膜 彭冬生，冯玉春，牛憨笨 （ 深圳大学 光电工程学院，广东 深圳 518060 ） 摘要: 介绍了金属有机化学气相沉积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD ）法横向外延过生长 GaN 薄膜的原理，阐述了该技术形成选择生长和减少 GaN 薄膜缺陷密度的机理。综述了该技术的发展历程以及最 新进展。新型的横向外延过生长技术大大简化了生长工艺以及降低了晶向倾斜。 关键词: 无机非金属材料；MOCVD；综述；横向外延过生长；GaN；薄膜 中图分类号: TN30