使用SiN 原位淀积方法生长的GaN 外延膜中的应力研究 - 物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 O %## ， ， ， *G7 1O .G 1 .GHB6TBF %## （ ） ###54%M#P%##PO PO#5# ?)Q? KRS,@)? ,@.@)? #%## )J-9 1 KJL; 1 ,G= 1 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 使用!# 原位淀积方法生长的 ! $%# 外延膜中的应力研究 ! 秦 琦 于乃森 郭丽伟 汪 洋 朱学亮 陈 弘 周均铭 （中国科学院物理研究所，表面物理国家重点实验室，北京 ###$# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %## %## $ 采用低压’()*+ 系统，在生长过程中使用,-.! 原位淀积的方法产生纳米掩模，并在纳米掩模上进行选区生 长和侧向外延制备了 外延薄膜 使用拉曼光谱和光荧光的手段对 外延膜中的残余应力进行了研究 研究 /0. 1 /0. 1 发现，用 原位淀积出纳米掩模后， 生长将由二维向三维转变，直到完全合并为止 利用拉曼光谱和光荧光 ,-. /0. 1 ! 谱分别研究了薄膜中的残余应力，两者符合得很好；这种方法生长出的/0. 薄膜的应力分布较传统的侧向外延更 加均匀；并且从中发现随着生长过程中,-. 原位淀积时间的增加，生长在其上的/0. 外延膜中的残余应力减小1 ! 这是因为，随着 原位淀积时间的增加， 纳米掩模的覆盖度也增大 因此侧向外延区的比例增大，残余应力 ,-. ,-. 1 ! ! 随之减小1 关键词： ， 原位淀积，拉曼，光荧光，残余应力 /0. ,-. ! ： ， ， ， ’(( 2$#/ $# 2$3 2$4# 型/0. 中加入,-. 粗糙层不仅可以减少N3+ 的位 ! 引 言