微机接口第四讲V3.pptVIP

微机与接口技术 半导体存储器 本章目录 4.1 半导体存储器概述 一、分类 二、半导体芯片的一般结构 三、半导体存储器的主要技术指标 4.2 随机读写存储器（RAM） 一、静态RAM（SRAM） （一）SRAM的基本存储电路 （二）SRAM举例 二、动态RAM（DRAM） （一）DRAM的基本存储电路 （三）DRAM的典型芯片 4.3 只读存储器（ROM） 一、掩膜ROM 二、PROM 三、EPROM 四、EEPROM 五、闪存 4.4 高速缓冲存储器 一、cache的工作原理 二、高速缓存和主存的存取一致性 三、cache的分级体系结构 4.5 半导体存储器与CPU的连接 一、存储器芯片与CPU的连接 二、存储器芯片与CPU的配合 4.6 PC/XT机的RAM子系统 4.1 半导体存储器概述 一、分类 （一） 按制造工艺分 1、双极性（TTL：Transister-Transister Logic）:速度快，集成度低，功耗大，价格高，作Cache 2、MOS ( Motel－Oxide-Semiconductor )型：特点与TTL相反。主要有NMOS，HMOS，CMOS，CHMOS等，作DRAM，SRAM,EPROM等 （二） 按使用属性分 1、RAM（随机读写存储器）－掉电后信息丢失 静态RAM(SRAM)：以触发器为基本存储单元，优点是不需刷新，缺点是集成度低。 动态(D