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非正统之金氧半导体场效电晶体
I C
(MOSFET)65
(Double Gate Transistor) (FDSOI) (FinFET)
(Vertical Transistor) (Strain Si)
(Double Gate Transistor) (FDSOI)
(FinFET) (Vertical Transistor) (Strain Si)
(high-k)
(MOSFET) [3]
[1],[3] Ultra-thin Body SOI
(ITRS (Strain Si)(Vertical
Roadmap) [1] Transistor) (FinFET)
(Moore’s Law)[2] (Double Gate Transistor)
SOI CMOS
65nm
SOI (Silicon on Insulator)
(Vt)[1] SOI CMOS
80 14 .tw
I C
(CMOS)SOI Capacitance) /
SOI
SIMOX Wafer
Bonding (2)(Body Effect)
(Ground)
(Amorphous)SOI CMOS
SOI (3)(Soft-error Immunity)
[4]
( 1 ) ( J u n c t i o n
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