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2.2 加偏压的PN结
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
在PN结上施加偏置电压时,PN结处于非平衡状态。
本节主要讨论的是非平衡PN结的能带图、少子
浓度分布,并推导空间电荷区内及其边界的少子浓
度表达式。
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
PN结上加上偏置电压之后,PN结的热平衡将被
破坏,半导体中将有电流流过。
空间电荷区的电阻远远大于中性区的电阻,因
此认为外加电压都落在空间电荷区。
半导体中电流的大小强烈决定于PN结外加偏压
的极性。
P 区接电源正极为正向偏置,P 区接电源负极为
反向偏置。
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
一、加偏压的PN结的能带图
1、平衡PN结的能带图
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
(a)热平衡,耗尽层宽度为 W
图2.5 单边突变结的能带图
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
2 、正偏PN结能带图
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
W W
(b)加正向电压,耗尽层宽度
图2.5 单边突变结的能带图
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
少子扩散区—— 空间电荷区两侧中性区里一到几
个扩散长度的区域内注入少子以扩散方式运动,
这个区域称为少子扩散区,简称为扩散区。
空穴扩散区——在空间电荷区N侧空穴准费米能
级变化的区域,称为空穴扩散区。
电子扩散区——在空间电荷区P侧电子准费米能
级变化的区域,称为电子扩散区。
L -空穴扩散长度 L -电子扩散长度
p n
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
正向注入:正偏压使PN结N 区多子电子从N 区向
P 区扩散,使P 区多子空穴从P 区向N 区扩散(这
些载流子在进入对方区域之后成为对方区域中
的少子)这种现象称为少子的正向注入。
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
3、反偏PN结的能带图
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
W ′ 能量
E q V(ψ + )
() 0 R
I
R
P N qV
R
V
− R +
c
()
(c)加反向电压,耗尽层宽度
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