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2017-06-18 发布于福建
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海纳电子资讯网：目录 1 CSI24WC0 1/02/04/08/16 ……………………………….2-10 2 CSI24WC32/64…………………………………………...11-18 3 CSI24WC128. ……………………………..…………….19-26 4 CSI24WC256. ………………………….….…………….27-34 1 海纳电子资讯网： CAT24WC01/02/04/08/16 2 1K/2K/4K/8K/16K 位串行E PROM 特性与 2 总线兼容 400KHz I C 到伏工作电压范围 1.8 6.0 低功耗CMOS 技术写保护功能当为高电平时进入写保护状态 WP 页写缓冲器自定时擦写周期编程擦除周期 1,000,000 / 可保存数据年 100 8 脚DIP SOIC 或TSSOP 封装温度范围商业级工业级和汽车级概述是一个位串行 2 内部含有 CAT24WC01/02/04/08/16 1K/2K/4K/8K/16K CMOS E PROM 个位字节公司的先进技术实质上减少了器件的功耗 128/256/512/1024/2048 8 CATALYST CMOS 有一个字节页写缓冲器有一个字节页写缓冲器该器件通过 CAT24WC01 8 CAT24WC02/04/08/16 16 I2C 总线接口进行操作有一个专门的写保护功能管脚配置管脚描述管脚名称功能 A0 A1 A2 器件地址选择 SDA 串行数据地址 / SCL 串行时钟 WP 写保护 Vcc +1.8V 6.0V 工作电压 Vss 地 2 海纳电子资讯网：方框图极限参数工作温度工业级 -55 +125 商业级 0 +75 贮存温度 -65 +150 各管脚承受电压 -2.0 Vcc+2.0V Vcc 管脚承受电压 -2.0 +7.0V 封装功率损耗 T =25 1.0W a 焊接温度秒 300 (10 ) 输出短路电流 100mA 可靠性参数符号参数最小最大单位参考测试模式 N 耐久性 1,000,000 周期字节测试方法 END / MIL-STD-8