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半导体基础 当金属与N型半导体接触时，若 ，在半导体表面 处形成正的空间电荷区，电场方向由半导体体内指向表面， 即半导体表面电势较体内为低。若半导体体内电势为0，半 导体表面电势用 代表，则有 ，这时半导体表面电 子势能高于体内，能带向上弯曲形成表面势垒，表面处由于 电子逸出而使浓度较体内为小。 金属的功函数小于半导体的功函数: 金属和N型半导体接触反阻挡层 金属带正电、半导体带负 电，电场方向由金属指向半导 体，半导体表面电势高于体内 电势，半导体表面处电子势能 较体内为低，能带向下弯曲。 半导体基础 （2) 金属与P型半导体形成金半接触 金属与P型半导体形成金半接触的情形正好与N型相反， 当 时，形成反阻挡层，而 时，形成阻挡层。 2. 金半接触的整流特性 以金属与N型半导体接触构成金半结、而且 的情 况为例说明金半接触的整流特性。 （1)金半结两端施加正向偏压V（即金属端接外电源的正极，而N型半 导体端接外电源的负极） 金半结加正向偏压 “正向导通” 金半结的理想“伏安特性 （ 特性）方程”为： 半导体基础 （2)金半结两端施加反向偏压V（即金属端接外电源的负极，而N型半 导体端接外电源的正极） 金半结加反向偏压 金半结的电压电流特性 PN结 金半结 不同之处：导通电压较低、正向压降较小、正反向电流较大、 反向耐压较低及较强的非线性程度。由于特性曲线较陡，因此在同 样偏压下具有较小的结电阻，而且当外加大信号交流电压时可导致 微分电导（ ）有较陡的变化。 半导体基础 3. 金半接触的电容效应 金半接触结可以看作是单边突变结，因此根据求PN结空间 电荷区宽度所使用的方法，求出金半（N型）接触结半导体一侧 的势垒区宽度与偏压的关系为: （1) 势垒电容 （2) 扩散电容 金半接触结（MN结）的正向电流是从N型半导体流向金属 的电子电流，是多子电流，它不存在少子积累的问题，因而也 就不存在扩散电容效应，这是金半结与PN结的显著区别。 PN结的“大”电容限制了PN结开关速度的提高，导致其导电 特性的改变来不及跟上外加高频交流电压的变化；而金半结的电 容远较PN结为小，可大大减小对正偏非线性电阻的旁路作用， “开关”特性好，这是以金半结为基础构成的半导体元件在射频和 微波领域获得广泛应用的主要原因所在。 4. 金半接触的击穿 金半结势垒区宽度较薄，反向击穿电压比PN结低，因此不 能承受大的功率。 半导体基础 2.1.4 金属与半导体的欧姆接触 半导体基础 两端非欧姆接触PN结管 P N 金属引线与半导体的接触只能是没有 整流特性的接触，或者说接触应该具 有对称的、线性的特性，同时还要求 接触电阻尽可能小，我们把这样一种 接触称为“欧姆接触”。没有良好的欧 姆接触，器件性能就发挥不出来。 构成欧姆接触：在欲形成欧姆接触的N型（或P型）半导体上先形成一层重掺杂N＋（或P＋）层，然后再与金属接触，即为金属- N＋-N或金属- P＋-P结构。 半导体基础 隧道效应 欧姆接触的电压电流特性 N+N结势垒 金属与重掺杂半导体接触时，金半接触在半导体内形成的势 垒层（或称阻挡层）的厚度会很薄。对于金属和半导体两侧的电子 来说，这样薄的势垒区几乎是透明的，即两侧电子可以不需越过势 垒而是通过隧道效应“钻”到对方去。 由于势垒高度较低，结的空间电荷区也较窄，不能认为空间 电荷区处于“耗尽”状态，因而也就不是高阻区。当其上施加偏压时， 外加电压就不是降落在空间电荷区，而是降落在结两侧的半导体上。 多数载流子在N＋N结之间可以认为是不受阻碍地自由流动。这样， 金属- N＋-N结构就体现出了欧姆性的关系。 半导体基础 2.1.5 N型砷化镓（GaAs）半导体特性 N型砷化镓（GaAs）半导体材料（或其它III-V族及II-VI族化合物，如磷化铟InP、碲化镉CdTe、硒化锌ZnSe等具有相似特性）在射频和微波频段获得了广泛应用，可作为微波毫米波放大、振荡等器件的核心，也是目前最广泛采用的微波毫米波集成电路的基板材料。 1. N型砷化镓（GaAs）的能带结构 价带 禁带 导带 高能谷 低能谷 N型GaAs的能带模型 N型GaAs的能带具有特殊结构，在 它的导带中电子有两种能量状态，电子 除了位于具有极小能量值的中心能谷外，还可以在子能谷中存在，子能谷的能量比中心能谷为高，称为“高能谷”，相比较于子能谷，中心能谷称为“低能谷”，称为“双谷结构”。 半导