级模电期末复习资料.pdf

期末模电考试题型及复习题 1 8 20 1.5 30 （） 选择题 题， 空，没空 分，共 分 2 10 2 20 （） 填空题 空，每空 分，共 分 3 7 50 （） 非客观题 共 道大题，共 分 下面的复习题非常重要，请同学们必须自己能够独立完成这些题目的求解。 小题目： 1 NPN PNP ___D_ ． 和 型晶体管的区别取决于 A 、半导体材料硅和锗的不同， B 、掺杂元素的不同 ， C D P N 、掺杂浓度的不同， 、 区和 区的位置不同。 2 N P _C___ ． 沟道和 沟道场效应管的区别在于 A 、衬底材料前者为硅，后者为锗， B 、衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型， C、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。 3. 随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度__A__ ，而多数载流子的浓度 __C__ 。 A 、明显增大， B 、明显减小， C 、变化较小 4. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_C___ ，而少数载流子的浓度与__A__关 系十分密切。 A 、温度， B 、掺杂工艺， C 、杂质浓度 5. 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而__A__ ；在保持二 极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而__B__ 。 A 、增大 ， B 、减小， C 、不变 μ 6. 300V V=100V 20 I 1 A 已知二极管的反向击穿电压为 ，当 、温度为 ℃时， ＝ 。 (1) V 50V I ____ ．当 降低到 ，则 约为 。 μ μ μ μ A 、0.1 A ， B 、0.5 A ， C 、1 A ， D 、2 A (2) V 100V 10 I ____ ．当 保持 不变，温度降低到 ℃，则 约为 。 μ μ μ μ A 、0.1 A ， B 、0.5 A ， C 、1 A ， D 、2 A (3) 200V ____ ．该二极管在反向电压为 的电路中使用是 。 A 、安全的， B 、不够安全的 答案 C|B|B 7. 已知某二极管在温度为 25 ℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为 T1 时的伏安特性 如图中虚线所示。 1．在25 ℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大？ 2 ．温度 T1 是大于 25 ℃还是小于25 ℃？ 1 0.2V 70V 5μA 2 T 大于 25 ℃ 答案 ．死区电压约为 反向击穿电压约为 反向电流约为 ． 1 8. 已知某二极管在温度为 25 ℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为 T1