EMI和无Y电容手机充电器的设计.pdfVIP

Y Y S S I R I R S T S T Y Y 电源技术 S 电源技术 S L U L U A D A D N N N N A I A I N EMI及无Y电容手机充电器的设计 N G G I I S S E E D D C C I I S S N N R O R O I I E E T T T T A A U C U ■ 凌力尔特公司上海办事外 刘松 C P I P I N M N M U O U O C 初级的漏感，但由于增大了初级和 M C M 摘 要：本文介绍了与EMI传导相关的共模及差模电流产生的原理以 M M 次级的接触面积，因而增大了初级 O O 及静点和动点的概念，然后详细地说明了在变压器结构中使 C C 和次级的耦合电容。采用铜皮的 用补偿设计以及静点和动点的调整方法，以提高EMI的传导 Faraday屏蔽可以减小初级与次级间 性能。最后给出了相应的实验波形和测试结果。 T T N 的耦合电容。Faraday屏蔽层绕在初 N N 关键词：传导干扰；共模电流；差模电流；Y电容 N E E O 级与次级之间，并且要接到初级或 O M I M I T E T E 在开关电源中，功率器件高频 设计带来困难。本文将介绍无Y电 次级的静点，如初级地和次级地。 A R A R U M U M S 导通/关断的操作导致的电流和电 容的充电器变压器补偿设计方法。 Faraday屏蔽层会使初级和次级的耦 O S O A T A T E U E 压的快速变化而产生较高的电压及 合系数降低，从而增加了漏感。 U M A M A 电流尖峰是产生EMI的主要原因。 变压器补偿设计 开关管的导通电流尖峰由三部 加缓冲吸引电路有利于降低EMI， 减小电压和电流变化率及增加 分组成：(1)变压器初级绕组的层间 但会产生过多的功耗，增加元件数 耦合通道阻抗是提高EMI性能的常 电容充电电流；(2) MOSFET漏-源 D D S 量、PCB尺寸及系统成本。 用办法。变压器是另外一个噪声 极电容的放电电流；(3)工作在 E S E D M D M D E 通常情况下，系统前端要加滤 源，而初级/次级的漏感及层间电 CCM模式的输出二极管的反向恢 D E T E T E S B S 除器和Y电容， Y电容的存在会使 容、初级和次级之间的耦合电容则 复电流。导通电流尖峰不能通过输 B Y M Y M S E S 输入和输出线间产生漏电流。具有 是噪声的通道。初级或次级的层间 入滤波的直流电解电容旁路，因为 E Y电容的金属壳手机充电器会让使 电容可以通过减少绕组的层数来降 输入滤波的直流电解电容有等效的 用者有触电的危险，因此，一些手 低，增大变压器骨架窗口的宽度可 串联电感ESL和电阻ESR，产生的 Y Y S L S L E E 机制造商开始采用无Y电