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2017-06-19 发布于江苏
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TEG大功率半导体器件主要参数介绍.pdf

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TEG大功率半导体器件主要参数介绍

电力电子事业部 TEG 大功率半导体器件主要参数介绍正向平均电流IF(AV)( 整流管) IF ID 通态平均电流IT(AV)( 晶闸管) 通态是指在规定的管壳温度 T 时,流过正弦半波电流的 C 平均值。如无其它说明,TEG 提供的是整流管T = 100 I C (Bo) V IH R V oC、晶闸管T = 70 oC 时的平均电流值。TEG 备有各种 D C V (BO) 器件平均电流与壳温关系的活页资料,欢迎索取。反向断态图2 －1 表示晶闸管、整流管的工作区。 IR 图2 －1 伏安特性正向方均根电流I （）( 整流管) F RMS 通态方均根电流I （）( 晶闸管) T RMS 是指在规定的管壳温度 T 时,流过电流的有效值。 C 这是考虑到器件内部可能出现的电气和机械应力时规定的有效电流最大值,即使安装最有效的散器,亦不应使 IF(RMS)/IT(RMS)超过规定值。浪涌电流I 整流管和I 晶闸管 FSM( ) TSM( ) 样本中给出正弦半波 10ms 不重复浪涌电流值。在 IT 确定极限值时,要将许多器件测试到损坏,然后选出一个 ITSM/IFSM 浪涌电流值,使器件在承受该浪涌试验时还有足够的裕 IT(OV)/IF(OV) 度。试验时采用样本规定的最高允许结温为初始温度, IFRM/I