碱土金属氧化物掺杂氧化铈基电解质材料中的晶格缺陷.pdfVIP

理化学学报（Wuli Huaxue Xuebao) June Acta Phys. Chim. Sin., 2005, 21(6) ：663 667 663 土金属氧化物掺杂氧化铈基电解质材料中的晶格缺陷* 马志芳 梁广川 梁金生 (河北工业大学能源与环保材料研究所，天津 300130) 摘要 基于能量最小化算法，对碱土金属氧化 (MgO、CaO 、SrO 、BaO)掺杂的氧化铈基电解质缺陷进行模拟 计算. 研究了掺杂离子与空位缺陷形成能和氧空位跃迁能之间的关系. 结果说明，在碱土金属氧化 掺杂氧化 铈的固溶反应中，氧空位缺陷是电荷补偿缺陷的首选形式，CaO和SrO较MgO和BaO 易溶于CeO ; Ca2+掺杂离子 2 ··伊 ·· ···· 与氧空位缺陷对[Ca义 ·V ] 的结合能最高；复合缺陷[V ·M义 ·V ] 在CeO 中的状态不稳定；氧空位在次近邻 Ce O O Ce O 2 间的跃迁能最低，因此最容易实现跃迁. 关键词： 能量最小化算法，氧化铈，固体电解质， 晶格缺陷，碱土金属氧化 中图分类号： O641.3 基于氧化铈广泛的 理和化学性能，CeO2基电 缺陷簇的形成. 但是到目前为止，对影响碱土金属 解质材料作为固体电解质已得到广泛的关注和研 氧化 MO(M=Mg 、Ca、Sr、Ba)掺杂的CeO 材料电导 2 究，它在固体燃料电池和氧传感器中起到核心作用. 率的理论研究较少. 我们采用能量最小化算法，研究 掺杂的氧化铈具有比钇掺杂稳定的氧化锆(YSZ)更 碱土元素掺杂的氧化铈的缺陷形成及空位跃迁行 [1鄄2] 高的离子导电性 . 其中，CeO 鄄MO(M表示碱土元 为，探讨掺杂离子与材料的离子电导之间的关系. 2 素)氧化 体系已成为具有潜在优势的固体电解质 材料. CeO 的离子迁移性由氧空位浓度决定，而氧 1 理论模型 2 空位是通过掺杂低价阳离子进入氧化铈晶格中产 2- 氧化铈具有开放的萤石结构，由O 构成的简单 生的. 掺杂碱土金属氧化 后的氧化铈仍呈立方萤 立方点阵位于面心立方堆积的Ce4+离子晶格内，O2- 石结构，二价的碱土掺杂离子取代了Ce4+ ，使材料 处于由阳离子构成的四面体的中心. Ce4+与O2- 的配 中氧空位增多，从而提高了CeO 基电解质的电导 位数分别是8和4. 如图1所示，由于在阴离子构成的