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ZVS原理(国外英文资料)
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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), Insulated Gate Bipolar Transistor, is by the BJT (Bipolar Transistor) and MOS (Insulated Gate field-effect tube) composite composed of full control voltage drive type power semiconductor devices, with high input impedance of MOSFET and GTR low conduction of the advantages of both the pressure drop. The GTR saturation pressure decreases, the load density is large, but the driver current is larger. The MOSFET drive is small, the switch is fast, but the lead pressure is large and the current density is small. IGBT combines the advantages of these two devices with low power and low saturation voltage.
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