第三章xc866的存储器结构.pptVIP

单片机原理及应用 章节概述 3.1 存储器概述 3.2 程序存储器 3.3 数据存储器 3.4 保护机制 3.3.1 内部数据存储器 内部数据存储器从物理上划分为两个不同的区域： 256字节RAM（00H～FFH）和128字节SFR（80H～FFH），如图3-4所示。 RAM的高128字节和SFR区共用相同的地址段，通过不同的寻址方式来加以区别： RAM的低128字节可通过直接寻址或寄存器间接寻址方式访问； RAM的高128字节只能通过寄存器间接寻址方式访问；SFR区只能通过直接寻址方式访问。 页值的保存 分页寄存器 例。。。 EXINT0:MOV SCU_PAGE,#0x92 …… MOV SCU_PAGE,#0xD0 3.4 保护机制 保护机制用来保护存储器中的数据不被任意未经授权的用户进行未经授权的读写等操作（包括误操作），有两种保护类型： 存储器保护 位保护 3.4.1存储器保护 （1）读保护 保护用户Flash和ROM不被任意读取——通过BSL模式设置一个有效密码实现； 通过ROM掩膜来使能ROM保护，必须由用户定义 （2）Flash编程和擦除保护——仅适用于Flash器件。 模式0：只保护P-Flash，不保护D-Flash； 模式1： P-Flash和D-Flash均被保护； 模式0时，寄存器MISC_CON中的位0（DFLASHEN)置1时，使能D-Flash Bank的擦除保护（即D-Flash不能被擦除）。 每次擦除结束时，DFLASHEN由硬件自动清0. 3.4.2位保护 通过设置PASSWD寄存器来阻止软件对所选位的直接写入； Click to edit company slogan . * * 第三章 XC866的存储器结构 3.1存储器结构概述 1.内嵌Flash 1）XC866-4FR包含16KB(12KB程序/4KB数据)Flash存储器 2）XC866-2FR包含8KB(4KB程序/4KB数据)Flash存储器 2.8KB Boot ROM程序存储器 3.256B内部RAM数据存储器 4.512B外部XRAM存储器 1）可作为程序存储器(用MOVC指令访问) 2）或外部数据存储器(用MOVX指令访问) 5.128B SFR区域 FFFFH F200H F000H E000H C000H B000H A000H 3000H 2000H 1000H 0000H FFFFH F200H F000H 0000H Boot ROM 8KB Flash Bank 3 4KB Flash Bank 2 4KB Flash Bank 1 4KB Flash Bank 0 4KB XRAM 512B 程序存储空间 外部数据存储空间 内部数据存储空间 7FH 00H FFH 80H 内部RAM SFR 内部RAM 间接寻址 直接寻址 XRAM 512B 用户模式下XC866的存储器结构 图3-1 XC866存储结构图 3.2 程序存储器 3.2.1 FLASH存储器结构 主要特点： 通过UART在系统编程(ISP) 在应用编程(IAP) 纠错码(ECC)可动态纠正一页错误 后台编程和擦除操作，使CPU负载最小 支持擦除终止操作 最小编程宽度为32字节 每次读取一个字节 一体化的16KB(XC866-4FR)或8KB(XC866-2FR)嵌入式Flash闪存存储器用于存储程序或数据 Flash阵列模块由4个4KB的Bank组成(8KB版本的由两个Bank组成)，如图3-2所示。 前面3个Bank(0,1 and 2)用于程序Flash 第4个Bank (Flash Bank 3)作为数据Flash被划分为更多的物理扇区以提高擦除效率 P-Flash Bank2 4 Kbytes D-Flash Bank 4 Kbytes D-Flash Bank 4 Kbytes P-Flash Bank1 4 Kbytes P-Flash Bank0 4 Kbytes P-Flash Bank0 4 Kbytes B000H A000H 3000H 2000H 1000H 0000H 8 Kbytes 16 Kbytes XC866-2FR XC866-4FR 图3-2 FLASH存储器结构 3.2.2 程序存储器工作模式 Boot ROM工作方式（复位后的默认模式） Boot ROM的地址空间为0000H至1FFFH Flash Banks 0/1的地址空间为C000H至DFFFH 原先C000H-DFFFH的地址空间被映射到0000H-1FFFH 其余的Boot ROM启动进程从C00XH处继续执行 根据检测到的MBC、TM