白光LED固态照明光转换荧光体_刘行仁.doc

白光LED固态照明光转换荧光体_刘行仁 第28卷 第3期2007年6月 发 光 学 报 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE Vol128No13 Jun.,2007 -011/文章编号:1000-7032(2007)03-0291 白光LED固态照明光转换荧光体 刘行仁 (中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春 130033) 摘要:报道了当前热点固态照明白光LED对所用光转换荧光体的特殊要求,从发光学和晶场理论出发,提出 研发白光LED用荧光体的几种方案和原则。依据多年成果,特别阐述在稀土铝镓石榴石体系,氯硅酸钙及某些钨钼酸盐中,Ce3+、Pr3+、Tb3+、Eu3+、Eu2+及Mn2+离子的发光特性,能量传递,Eu2+的特征/阶梯状0光谱以及激活剂在晶体中所占据不同晶体学格位与发光性质的关联性。这些材料都可用于白光LED之中。实践证明,这些基础性研究和原理是研制白光LED用荧光体的基础。光转换荧光体与InGaN蓝光芯片结合可以获得符合严格标准的全色温(2700~8000K)的高显色性白光LED光源。白光LED及InGaN蓝光LED的光电性能与正向电流IF密切相关,器件散热极为重要。提出的在不同IF下,LED的相关色温差(QTc)可用来表征LED色温变化幅度及稳定性。 关 键 词:荧光体;白光发光二极管;发光;固态照明;稀土激活剂中图分类号:O482;O482.31 PACC:7855 文献标识码:A 1 引 言 1993年GaN蓝光发光二极管(LED)技术上的突破 [1] 特性和参数。所以,发展白光LED用的先进发光材料具有重要意义。当前人们非常关注如何研发白光LEDSSL光源用的荧光体,也希望更多地了解白光LED对荧光体有怎样的特殊要求。 本文从发光学及其材料科学出发,总结白光LED对光转换荧光体的特殊要求,提出研发白光LED用荧光体的几种方案和原则及它们的优缺点。此外结合我们的工作,系统地阐述在稀土石榴石体系,氯硅酸钙体系及某些钨钼酸盐中Ce、Pr、Tb、Eu、Eu及Mn离子的发光特性和能量传递,以及由光转换荧光体和InGaN蓝光芯片组合制取的全色温高显色性白光LED的光电性能。以期推动新型高效荧光体的研发及白光LED水平的提高。 3+ 3+ 3+ 3+ 2+ 2+ 为白光LED的出现奠定了基础。白光 3+ LED最早是由日本日亚公司研发。该技术的核心是由GaN蓝光LED芯片涂覆Ce激活的稀土石榴石(YGd)3AlCe(简称YAGBCe)黄色荧5O12B光体组成。这种白光LED是一种新型固态照明(SolidStateLighting,简称SSL)电光源,其原理和结构不同于以往的白炽灯、荧光灯等真空电光源。SSL光源有许多优点,特别是光效高、节能、寿命长、无污染,具有重大的应用价值和前景,已深深地引起了许多国家政府及科技界和产业界的重视并制定发展规划,注入重金发展 [2] 。因为白光 LED的发展涉及大家关注的节能战略问题,以及巨大的商业价值,因此我国将大力推动SSL的发展。 当今SSL的主流方案是荧光体光转换白光LED,其中高效荧光体成为关键。因为荧光体决定白光LED的光转换效率、流明效率、光通、相关色温(Tc)、色品坐标值及显色指数(Ra)等重要 [3] 2 白光LED对光转换荧光体的要求 白光LED对荧光体的要求与其他用途,如荧光灯、PDP显示器、CRT等的要求有重大的区别。首先,白光LED荧光体能被近紫外(NUV)光子或蓝光光子有效激发,高效地发射所需要的可见光。换言之,荧光体的激发(吸收)光谱应与LED芯片 收稿日期:2007-01-04;修订日期:2007-03-29 基金项目:国家/8630计划(715-0030060,2006AA03A138);国家自然科学基金(957405359272083;吉林 省科技厅发展计划基金(953514)资助项目 作者简介:刘行仁(1937-),男,湖北天门人,研究员,博士生导师,主要从事发光材料基础和应用的研究。 l( 292发 光 学 报第28卷 发出的NUV光或蓝光的发射光谱充分地匹配,实现高效转换。目前已成熟的InGaN蓝色LED芯片的电致发光光谱的发射峰一般位于(460?10)nm,半峰全宽(FWHM)较窄,约(25?5)nm;而较成熟的NUVLED发射光谱谱峰一般大约位于390~410nm范围。因此,在选用荧光体时应特别注意。 第二、荧光体应具有优良的温度猝灭特性。众所周知,随着LED的正向电流IF的增加,LED的功耗增大,pn结温升高,可达到120e或更高。1W以上大功率LED工作时,器件的温升更高。蓝光LED随IF增加,温度升高,将导致器件的光功率或光效下降,