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集成电路工艺 第一章 半导体产业介绍 集成电路工艺 集成电路工艺 第12章 金属化 目标 1. 解释金属化； 2. 列出并描述在芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用； 3. 解释在芯片制造过程中使用金属化的优点，描述应用铜的挑战； 4. 叙述溅射的优点和缺点； 5. 描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用； 6. 描述金属CVD的优点和应用； 7. 解释铜电镀的基础； 8. 描述双大马士革法的工艺流程。 提纲 1.概述 2.金属类型 3.金属淀积系统 4.金属化方案 5.金属化质量检查及故障排除 1.概述 RC延迟——需要减小信号的传播延迟 芯片金属化是应用化学或物理处理方法在芯片上淀积导电金属薄膜的过程。 互连(interconnect)指由导电材料(铝、多晶硅或铜)制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。 接触(contact)指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。 通孔(via)是穿过各种介质层从某一金属层到毗邻的另一金属层形成电通路的开口。 多层金属化 铜制程 双大马士革工艺(dual damascene) 首先淀积介质覆盖层、平整化介质、光刻成图形、在介质层为通孔和连接金属线刻蚀孔； 然后淀积金属覆盖层到孔中，平坦化、研磨金属层直到介质层表面以确定金属互连。 传统和大马士革金属化比较 铜金属化 2.金属类型 1. 导电率: 要求高导电率，能够传道高电流密度。 2. 黏附性：能够黏附下层衬底，容易与外电路实现电连接 3. 淀积：易于淀积，经相对低温处理后有均匀的结构和组分 刻印图形/平坦化：提供高分辨率的光刻图形/ 大马士革金属化易于平坦化 5. 可靠性：经受温度循环变化，相对柔软且有好的延展性 抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，层与层以及下层器件区有最 小的化学反应。 应力：很好的抗机械应力特性，以便减少硅片的扭曲和材 料的失效。 硅和硅片制造业中所选择的金属 (20℃) 常见的金属和金属合金 铝 铝铜合金 铜 阻挡层金属 硅化物 金属填充塞 2.1 铝 最早的互连金属是铝 铝在20℃时具有 2.65μΩ-cm的低电阻率，比铜、金及银的电阻率稍高。 铜和银都比较容易腐蚀，在硅和二氧化硅中有高的扩散率，这些都阻止它们被用于半导体制造。金和银比铝昂贵得多，而且在氧化膜上附着不好。 铝能够很容易和氧化硅反应，加热形成氧化铝（Al2O3），这促进了氧化硅和铝之间的附着。铝容易淀积在硅片上，可用湿法刻蚀而不影响下层薄膜。 铝 互 连 欧姆接触 在硅上加热烘烤铝形成期望的电接触界面，被称为欧姆接触。 通常在惰性气体或还原的氢气环境中，在450～500℃进行，此过程被称为低温退火或烧结。 欧姆接触有很低的电阻。 在现代芯片设计中，欧姆接触用特殊的难熔金属（如以硅化物形式出现的钛），在硅表面作为接触以减小电阻、增强附着。 欧姆接触 欧姆接触是应用自对准硅化过程制备的，使它能很准确位于源/漏的上方并且靠近栅结构。 结“穿通” 在加热过程中，铝和硅之间易出现不希望的反应，该反应导致接触金属和硅形成微合金，这一过程被称为结“穿通”。当纯铝和硅界面加热时结尖刺发生，并导致硅向铝中扩散。硅片中留下空洞，允许穿通形成。结尖刺的问题可通过在铝中添加硅和阻挡层金属化两种方法解决。 2.2 铝铜合金 铝有电迁徒引起的可靠性问题。 在大密度情况下，电子和铝原子碰撞引起原子逐渐移动，从而产生空洞，引起连线减薄，可能断路。 在导体其他区域，金属原子堆起来形成小丘，如果大量的小丘形成，毗邻的连线或两层之间的连线有可能短接在一起。 在ULIS技术、高级电路的设计中，芯片温度会随着电流密度而增加，两者都会使铝芯片金属化更易引起电迁徒。 铝铜合金 由铝和铜形成的合金，当铜含量在0.5~4%时，其连线中的电迁移得到控制。 2.3 铜 由于硅片上电路集成度的增加，金属布线层数的增加，线宽划分得越来越细，金属化工艺已经从简单的单层发展到多层金属布线。 由于铜具有更低的电阻率，因此可取代铝成为主要的互连金属材料。 为什么引入铜？ 电阻率的减小：在20℃时，互连金属线的电阻率从铝的2.65μΩ-cm减小到铜的1.678μΩ-cm ；减少RC的信号延迟，增加芯片速度。 功耗的减少：减小了线的宽度，降低了功耗。 更高的集成密度：更窄的线宽，允许更高密度的电路集成，这意味着需要更少的金属层。 良好的抗电迁徒性能：铜不需要考虑电迁徒问题。 更少的工艺步骤：用大马士革方法处理铜具有减少工艺步骤 20％到30 %的潜力。 与 0.25-?m 器件比较互连延迟的变化 铝和铜之间特性和工艺的比较 铜面临的挑战 铜快速扩散进氧化硅和硅，一旦进入器件的有源