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第2章 电力电子器件 开通和关断举例 开通和关断举例 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 小 结（续） 根据开通和关断所需门极（栅极）驱动信号的不同要求，开关器件又可分为电流控制型开关器件和电压控制型开关器件两大类： SCR、GTR和GTO为电流驱动控制型器件 P－MOSFET、IGBT均为电压驱动控制型器件 三极管GTR要求有正的、持续的基极电流开通并保持为通态，当基极电流为零后GTR关断。为了加速其关断，最好能提供负的脉冲电流。 P－MOSFET和IGBT要求有正的持续的驱动电压使其开通并保持为通态，要求有负的、持续的电压使其关断并保持为可靠的断态。电压型驱动器件的驱动功率都远小于电流型开关器件，驱动电路也比较简单可靠。 常用电力电子开关器件性能对比 可控性 驱动信号 额定 电压、电流 工作频率 饱和压降 二极管 不可控 无 最大 有高 有低 小 晶闸管 半控 脉冲电流（开通） 最大 最低 中 GTO 全控 正、负 脉冲电流 大 较低 小 GTR 全控 正电流 中 中 小 IGBT 全控 正电压 较大 较高 小 MOSFET 全控 正电压 小 最高 大 各器件应用示意图 大 趋 势 最近十年电力电子器件发展的一个重要趋势是将半导体电力开关器件与其驱动、缓冲、监测、控制和保护等所有硬件集成一体，构成一个功率集成电路PIC。PIC实现了电能与信息的集成，如果能妥善解决PIC内部的散热、隔离等技术难题，今后PIC将使电力电子技术发生革命性的变革。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2. GTR的二次击穿现象 一次击穿 集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿。 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿 一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降。 常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 电力晶体管 3. 动态特性 开通过程 延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。 td主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。增大ib的幅值并增大dib/dt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开通过程 。 图 GTR的开通和关断过程电流波形 电力晶体管 关断过程 储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff 。 ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。 减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度。 GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多 。 GTR的开通和关断过程电流波形 电力晶体管 4.GTR的主要额定参数 (1)电压参数：电压参数体现了GTR的耐压能力 (2)集电极电流额定值 (3)最大耗散功率 (4)直流电流增益 (5)开关频率 (6)最高结温额定值 电力晶体管 C B E iC t O +UCC RB RC C1 C2 T + + uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE ui + – 电力晶体管 全控器件也只能通过单方向电流，在信息电子里也是如此 5. 安全工作区（SOA） 定义：能够保证器件在电路中安全工作的范围，其大小由各种额定约束值决定的 GTR安全工作区分为正向偏置SOA和反向偏置SOA。 GTR的正向偏置安全工作区是由最大集电极电流ICM、集电极最大允许耗散功率PCM、二次击穿限制值PSB和集射极最大电压UCEmax所组成的区域 安全工作区是： A-B-C-E-F-O围成区域。 电力晶体管 GTR的正向偏置安全工作区 分为结型和绝缘栅型（类似小功率Field Effect Transistor——FET）,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称功率MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT） 2.4.3 功率场效应管 ?特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 开关速度快，工作频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。 导通时器件通态压降大 1. 功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类