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从MOCVD谈LED磊晶技术-清华大学产学合作营运
從MOCVD談LED磊晶技術
照明與能源光電研究所
郭政煌
kuoch@mail.nctu.edu.tw
2011/3/4 1
Outline
量產型MOCVD簡介
磊晶技術v.s. LED發光效率
磊晶的未來技術發展
2011/3/4 2
Main manufacturing steps and related
options of Nitride-based LEDs
2011/3/4 3
Basics of MOCVD equipment
III H2 or N2 V
Group III : MO source
Group V : hydrides(NH )
3
Carrier gas: H2 or N2
Growth temperature: substrate
500°C – 1500°C
Growth Pressure : heater
25 – 760 torr
Exhaust
2011/3/4 4
Mass production MOCVD
MOCVD maker
1.Aixtron
2.Thonmas Swan
3.Veeco
4.Nippon Sanso(日本酸素 )
5.New Company
2011/3/4 5
Reduce the epitaxy running
cost
Throughput ↑
- runs/day
Yield ↑
- Wavelength Brightness uniformity
Running cost per wafer area ↓
- Wafer size (2’’4’’6’’)
2011/3/4 6
Evolution of mass production
MOCVD
G5 G5X2
Aixtron :
1x2’’3x2’’6x2’’11x2’’24x2’’42x2’’ 56x2’’ (14 x4’’, 8 x6’’) G5 X2
Thomas Swan: CRIUS II
1
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