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第6章 MOSFET及相关器件 半导体器件物理 第6章 MOSFET及相关器件 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices 第6章 MOSFET及相关器件 * 本章内容 MOS二极管 MOSFET基本原理 第6章 MOSFET及相关器件 * 6.1.1 理想的MOS二极管 研究半导体表面特性，MOSFET器件的枢纽，可作为一储存电容器，电荷耦合器件（CCD）的基本组成部分。 图(a)为MOS二极管透视图，V施加于金属平板上的电压。 图(b)为剖面结构，d氧化层厚度。 金属平板相对于欧姆接触为正偏时，V为正值；金属平板相对于欧姆接触为负偏时，V为负值。 6.1 MOS二极管 (a)MOS二极管透视图 (b)MOS二极管剖面图 第6章 MOSFET及相关器件 * 右图为V=0，理想p型MOS二极管能带图。q?m、q?s：功函数，qχ：电子亲和力，qΨB：费米能级EF与本征费米能级Ei差。 理想MOS二极管定义为： （1）零偏压时，q?ms为零，即能带是平的（称为平带状况）。 （2）任意偏压下，二极管中的电荷仅位于半导体之中，且与邻近氧化层的金属表面电荷量大小相等、极性相反； （3）直流偏压下，无载流子通过氧化层，氧化层电阻值无穷大。 第6章 MOSFET及相关器件 * 半导体表面向上弯曲的能带，使Ei-EF变大，提升空穴的浓度，氧化层与半导体的界面处产生空穴堆积，称为积累现象。 理想MOS二极管偏压为正或负时，半导体表面出现三种状况 （1）p型半导体，施加负电压，SiO2-Si界面超量空穴，接近半导体表面的能带向上弯曲。 理想MOS二极管，不论外加电压为多少，器件内部均无电流流动，半导体内部费米能级为一常数。 半导体内部载流子浓度与能级差关系，即 第6章 MOSFET及相关器件 * （2）外加一小量正电压，靠近半导体表面的能带向下弯曲，EF=Ei，多子空穴耗尽，称为耗尽现象。半导体中单位面积的空间电荷Qsc值为qNAW，其中W为表面耗尽区的宽度。 （3）外加一更大正电压，能带向下弯曲更严重。EiEF。SiO2-Si界面处吸引更多电子。半导体中电子浓度与能差EF－Ei的关系 由于EF-Ei＞0，半导体表面电子浓度大于ni，而空穴浓度小于ni，表面载流子呈现反型，称为反型现象。 第6章 MOSFET及相关器件 * 起初，因电子浓度较小，表面处于一弱反型状态，当能带持续弯曲，使得EC接近EF。 当靠近SiO-Si界面的电子浓度等于衬底的掺杂量时，开始产生强反型。 之后，大部分在半导体中额外的负电荷是由电子在很窄的n型反型层（0≤x≤xi）中产生的电荷Qn[如右下图]所组成，其中xi为反型层的宽度。xi典型值范围1nm~10nm，通常远小于表面耗尽区宽度W。 第6章 MOSFET及相关器件 * 下图为p型半导体表面更为详细的能带图。在半导体衬底内的静电势Ψ定义为零。在半导体表面Ψ=Ψs，Ψs为表面电势。将电子与空穴的浓度表示为Ψ的函数： 当能带向下弯曲时，Ψ为正值。表面载流子密度为 一、表面耗尽区 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 第6章 MOSFET及相关器件 * 根据以上的讨论，以下各区间的表面电势可以区分为 Ψs0：空穴积累（能带向上弯曲）； Ψs =0：平带情况； ΨBΨs0：空穴耗尽（能带向下弯曲）； Ψs=ΨB：禁带中心，即ns＝np＝ni（本征浓度）； ΨsΨB：反型（能带向下弯曲超过费米能级）。 仿照n+-p结空间电荷区结论，表面电势Ψs为 其中，NA为半导体掺杂浓度，W为耗尽区宽度，εs为介电常数。 第6章 MOSFET及相关器件 * 设定表面电荷等于衬底杂质浓度是一个简单准则，即ns=NA。由 上式表示：需一电势ΨB将表面能带弯曲至本征条件（Ei=EF），需一额外电势ΨB将表面的能带弯曲至强反型的状态。 可得 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 F E V E i E C E 半导体表面 g E B y q y q ) 0 ( S S y y q i x 半导体 氧化层 当Ψ