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第7章 MESFET及相关器件 半导体器件物理 第7章 MESFET及相关器件 Semiconductor Physics and Devices 半导体器件物理 欧姆接触：金属-半导体的接触电阻相对于半导体主体或串联电阻可忽略。良好的欧姆接触不会严重降低器件性能，且通过电流时所产生的电压降比落于器件有源区的电压降小。 欧姆接触的一个指标：比接触电阻RC 低掺杂浓度的金属-半导体接触，热电子发射电流在电流传导中占主要地位，则 7.1.3 欧姆接触 * 第7章 MESFET及相关器件 为获得较小RC，应该用具有较低势垒高度的金属-半导体接触。 若掺杂浓度很高，则势垒宽度变窄，此时隧穿电流成为主要传导电流。 高掺杂浓度下的比接触电阻表示为 其中 可见，在隧穿范围内，比接触电阻与杂质浓度强烈相关，并以 为因子成指数变化。 * 第7章 MESFET及相关器件 * 金半场效应晶体管（MESFET）具有三个金属-半导体接触。 其中，一个肖特基接触作为栅极，两个当作源极与漏极的欧姆接触。 7.2.1 器件结构 图(a)为MESFET透视图。 主要器件参数：栅极长度L、栅极宽度Z及外延层厚度a。 大部分MESFET用n型Ⅲ-V族化合物半导体（如GaAS）制成，因为其具有较高电子迁移率，可减小串联电阻且具有较高饱和速度而使得截止频率增高。 7.2 MESFET 第7章