半导体物理第十章3.docVIP

§10.5 半导体发光 一、辐射复合 半导体中电子从高能量状态向较低能量状态跃迁并伴随发射光子的过程。主要有两种： 1、本征辐射复合(带－带复合) 导带电子跃迁到价带与空穴复合的过程称为本征跃迁，本征跃迁伴随发射光子的过程称为本征辐射复合。对于直接禁带半导体，本征跃迁为直接辐射复合，全过程只涉及一个电子－空穴对和一个光子，辐射效率较高。II-VI族和具有直接禁带的部分III-V族化合物的主要发光过程属于这种类型。对于间接禁带半导体，本征跃迁必须借助声子，因而是间接复合。其中包含不发射光子的多声子无辐射复合过程和同时发射光子和声子的间接辐射复合过程。因此，间接禁带半导体中发生本征辐射复合的几率较小，辐射效率低。Ge、Si、SiC和具有间接禁带的部分III-Ⅴ族化合物的本征复合发光属于这种类型，发光比较微弱。 因为带内高能状态是非稳状态，载流子即便受激进入这些状态也会很快通过“热化”过程加入导带底或价带顶。显然，带间跃迁所发射的光子能量与Eg有关。对直接跃迁，发射光子的能量满足 对间接跃迁，在发射光子的同时，还要发射声子，因而光子能量应满足 其中Ep是声子能量。 2、非本征辐射复合 涉及杂质能级的辐射复合称为非本征辐射复合。在这种过程中，电子从导带跃迁到杂质能级，或从杂质能级跃迁到价带，或仅仅在杂质能级之间跃迁。由于这种跃迁不受选择定则的限制，发生的几率也很高，是间接禁带半导体，特别是宽禁带发光材料中的主要辐射复合机构。 下面着重讨论施主与受主之间的跃迁，如图10-22所示。当半导体中同时存在施主和受主杂质时，两者之间的库仑作用力使受激态能量增大，其增量△E与施主和受主杂质之间距离r成反比。当电子从施主向受主跃迁时，若没有声子参与，发射光子能量为 ED和EA由于施主和受主一般以替位原子出现在晶格中，因此r只能取原子间距的整数倍，相应的光子能量为不连续数值，对应于一系列不连续的发射谱线。但这只在r较小，即电子在相邻的施主和受主间跃迁时才可区分；随着r的增大，发射光子的能量差别越来越小，而且电子从施主向受主跃迁所要穿过的距离也越来越大，跃迁几率很小。因此杂质发光主要发生在相邻施受主之间。 3、GaP中的辐射复合机构 GaP的室温禁带宽度Eg＝2.2eV，但其本征辐射跃迁效率很低，主要依靠非本征发光中心。图-23表示GaP中几种可能的辐射复合。 1）GaP中的施受主对发光中心（Zn(或Cd)－O对发光中心） 掺O和Zn的GaP材料，经过适当热处理后，O和Zn分别取代邻的Pτr和无辐射复合寿命τnr的相对大小。 1、内量子效率 发光效率通常分为“内量子效率”η内和“外量子效率”η外。内量子效率定义为： 平衡时，电子－空穴对的激发率等于额外载流子的复合率(包括辐射复合和无辐射复合)而复合率分别决定于寿命τr和τnr辐射复合率正比于1/τr，无辐射复合率正比于1/τnr，因此，η内可写成 τnrτr时，才能获得有效的光子发射。 对以间接复合为主的半导体材料，一般既存在辐射复合中心，也存在无辐射复合复合中心。因此，要使辐射复合占压倒优势，即τnrτr，必须使发光中心浓度NL远大于其他杂质浓度Nt。 2、外量子效率 辐射复合所产生的光子并不是全部都能离开晶体向外发射。从发光区产生的光子向外传输时有部分会被再吸收。另外，由于半导体的高折射率(3~4)，光子在界面处很容易发生全反射而返回到晶体内部。即使是垂直入射界面的光子，由于高折射率导致高反射率，有相当大部分(30％左右)被反射回晶体内部。因此，用“外量子效率”(外来描写半导体材料的总有效发光效率，即 对于像GaAs这一类的直接禁带半导体，直接辐射复合在额外载流子的复合过程中占主导地位，因此，内量子效率比较高，可接近100％，但能够从晶体内实际发射出去的光子比例却不一定很高。例如，室温下GaP（Zn-O）红光LED的η外最高可达15％，GaP（N）绿光LED的η外只有0.7％。为了提高LED的发光效率，不但要选择内量子效率高的材料，还要采取适当措施提高外量子效率。譬如将LED芯片表面做成球面，并使发光区域处于球心，这样可以避免表面的全反射。因为晶体的吸收随着温度增高而增大．因此，发光效率将随温度增高而下降。 三、电致发光机构 半导体电致发光的额外载流子注入主要有两种方式：场注入和结注入。 1、场致发光 均匀2、p-n结注入发光 如图l0－24所示，利用p-n结在正向偏置条件下的注入作用，可以在势垒区外形成额外少数载流子的累积，这些额外载流子在扩散的过程中通过与多数载流子的复合而发光。利用pn结注入发光制造的LED分同质结和异质结两种。 1）同质结LED 同质p-n结势垒区两边都有额外载流子注入。由于一般发光材料的少子扩散长度远大于正偏压下的势垒宽度，因此势垒区中的辐射复合几率较小，辐射复合主要发