THISSPECISOBSOLETE方案.PDFVIP

THIS SPEC IS OBSOLETE Spec No: 001-92142 Spec Title: AN52433 - ADVANTAGES OF SERIAL PERIPHERAL INTERFACE (SPI) NVSRAM OVER SPI EEPROM IN METERING APPLICATIONS (ZH) Replaced by: NONE AN52433 在测量应用中，与SPI EEPROM 相比，串行外设接口 （SPI ）nvSRAM 的优势 作者：Shivendra Singh 相关项目：无 相关器件系列：赛普拉斯串行SPI nvSRAM 软件版本：无 相关应用笔记：AN64574 如果您有任何问题，或者需要获得本应用手册的相关帮助，请通过邮箱zsk@ 联系本文作者。 与传统SPI EEPROM 相比，赛普拉斯的SPI nvSRAM 非易失性存储器技术提供了显著的优点。本应用笔记介绍的是在测 量应用中使用 SPI nvSRAM 的优点。对于使用最新的‘智能’ 电能表的设计师和构架师，通过本应用笔记可获得很大的帮 助。 简介 图1. 电表框图 赛普拉斯 nvSRAM 作为一个示例，它结合了快速SRAM 单 元和基于硅— 氧化硅— 氮化硅— 氧化硅— 硅 （SONOS ） 的非易失性存储器单元。如果电源供电失败，您可以自动将 整个 SRAM 中的内容快速传输到非易失性存储内 （自动存 储），或通过发送相关软件指令 （软件存储）按需要进行传 输。nvSRAM 需要通过一个较小的电容 （通常为47 uF ）与 VCAP 引脚相连，以完成自动存储操作。采用主电源 （VCC ） 时，nvSRAM 将充电连接至 VCAP 引脚的电容。电源下降至 低于某个阈值 （VSWITCH ）时，nvSRAM 从 VCC 会自动切换 到VCAP ，然后完成自动存储周期。 本应用笔记介绍了智能电表的架构概述，并详细说明了在这 种电表设计中串行 （SPI ）nvSRAM 与SPI EEPROM 相比 具有的优点。图 1 显示的是智能电表的简化框图。非易失 性存储器是电表的重要组件之一。当智能电表将信息上传到 与供应基础设施相连的网络上，非易失性存储器会在一个时 隙内存储能源消耗和环境数据。有价值的信息包括定期的功 在测量应用中，nvSRAM 比EEPROM 率读数和表示尝试篡改电表的可疑物理变化。这是为了降低 更具有优点 能源消耗和提高电能的使用效率；能量消耗的不同度量 （有 功功率、无功功率、视在功率或进口和出口）被精细记录。 更快的串行数据传输 因此，随着智能电表的快速发展，对非易失性存储器大小的 要求也越来越高。该数据可靠性和完整性的要求非常重要。 在所有温度和供电电压中，与标准SRAM 相同，赛普拉斯 串行nvSRAM 产品能以超过40 MHz 的连续时钟速度执行 读写操作。该速度比EEPROM 技术的速度更快 （提高了一 倍），因此可以降低数据块传输到串行接口的耗时量。对于