数字电路与逻辑电路设计 第6章 半导体存储器.pptVIP

a.存储矩阵 作 业 6.4存储器的扩展 当使用一片ROM或RAM器件不能满足对存储容量的需求时，则需要将若干片ROM或RAM组合起来，构成更大容量的存储器。存储容量的扩展方式有：位扩展方式、字扩展方式及复合扩展。 6.4.1 位扩展 通常RAM芯片的字长多设计成1位、4位、8位等，当实际的存储器系统的字长超过RAM芯片的字长时，需要对RAM实行位扩展。 位扩展可以利用芯片的并联方式实现，即将RAM的地址线、R//W线和片选信号线对应地并接在一起，而各个片子的输入/输出（I/O）作为字的各个位线 所需的芯片数量为（1024×8）/（1024×4）=2片，地址总线为10根，数据总线为8根。 【1 】 把1024×4的RAM扩展为1024×8的 RAM。 解： 连线图 【2 】 把1024×1的RAM芯片扩展成1024×8的RAM。 解： 所需的芯片数量为（1024×8）/（1024×1）= 8片，地址总线为10根，数据总线为8根 。 连线图 6.4.2 字扩展 若每一片存储器(ROM或RAM）的数据位数够而字数不够时，则需要采用字扩展方式，以扩大整个存储器的字数，得到字数更多的存储器，字数的扩展可以利用外加译码器控制芯片的片选输入端来实现。 【例3】将1K×4的RAM芯片扩展为2K×4的存储