第四章 光通信 之光源.pptVIP

主要内容 光源种类 半导体的发光原理 半导体激光器LD 发光二级管LED 1 光源 光源是光发射机的关键器件，其功能：把电信号电流转换为光信号功率，即实现电/光转换。 对光源的要求 ＊ 光源发光波长必须与光纤低损耗窗口相符合 ＊ 足够的光输出功率 ＊ 可靠性高、寿命长 ＊ 温度稳定性好 ＊ 调制特性好 ＊ 光谱宽度要窄 ＊ 与光纤之间的耦合效率要高 ＊ 几何形状和重量 ＊ 价格 光源的种类 光源主要有半导体光源：激光二极管（LD）和发光二级管LED 还有非半导体光源：固体激光器和气体激光器 2 半导体的发光原理 ●利用PN结：P型和N型半导体材料相接触形成 ●在注入电流作用下，电子从低能级跃迁到高能态，形成粒子数反转。电子再从高能态跃迁到低能态产生光子而发光。 低能态电子多，密度为N1 高能态电子少，密度为N2 ■ N1N2: ●在热平衡状态下，自发发射居支配地位，不能发射相干光。 ■ N2N1： ●受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物质时，产生放大作用。 ●这种分布和正常状态的分布相反，成为粒子数发转。 发光（光放大）← N2N1 ←粒子数反转 3 半导体激光器LD ※PN结外加正向偏压后的能带分布 ※激光的产生 PN结空间电荷区的形成 ● PN结形成后，由于互相间的扩散作用，使得靠近界面的地方，N区剩下带正电的离子， P区剩下带负电的离子，在结区形成空间电荷区，也因此出现了一个由N指向P的电场，称为内建电场，此时处于热平衡状态，只有一个费米能级。 ● 空间电荷区及其内建电场分布图如下： PN结外加正向偏压后的能带分布 ● 给PN结外加正向偏压后，P区的空穴和N区的电子不断地注入PN结，破坏了原来的热平衡状态，在PN结出现了两个费米能级，此时的PN结能带分布如图： 激光的产生 ●激光产生的条件：一是，光的放大，要求有粒子数反转分布并具有正反馈谐振腔；二是，满足阈值条件，即光功率增益大于衰减 ●从能带分布图得出，N区电子多处于高能级，P区电子少处于低能级，即在外加正偏压后，在PN结区出现高能级粒子多，低能级粒子少得分布状况，这即是粒子数反转分布状态。 ●因此出现受激辐射大于受激吸收情况，产生了光放大，并在光学谐振腔内来回反射，不断增强，当满足阈值条件后，即可发出激光。 常见的一种激光器结构和能带 另一种激光器结构 半导体激光器的P-I曲线 当IIth时，激光器发出辐射光。 当IIth时，激光器发出受激辐射光。 4 发光二极管LED 区别于LD： ≯发光原理相同 ≯所以材料相同 ≯结构有所不同 LD 谐振腔 产生受激辐射 发激光 LED 无谐振腔 产生自发辐射 发荧光 ●表面发光二极管和边发光二极管 ●目前在数字光纤通信中常用边发光二极管 LED的P-I特性 ●没有阈值电流，几乎成线性分布 LED特性 ＊ 光谱较宽 ＊ 光的方向性较差 ＊ 与光纤的耦合效率较低 ＊ 寿命长 ＊ 温度特性较好 ＊ P-I曲线的线性较好 LED与LD的主要参数和两者比较，见表4.3 表4.4 缺点和优点 * ■光发射：处于高能态（导带）电子不稳定，向低能态（价带）跃迁，而能量以光子形式释放出来，发射光子的能量hv等于导带价带能量差，即hv=Ec-Ev=Eg ■发光过程： ●自发发射：处于高能态的电子按照一定的概率自发地跃迁到低能态上，并发射一个能量为E2-E1的光子 ≯ 光子随机地向各个方向发射，每次发射没有确定的相位关系—非相干光； ≯ LED通过自发发射过程发光。 ●受激辐射：处于高能态的电子在外界光场的感应下，发射一个和感应光子一样的光子，跃迁到低能态； ≯光子的发射方向、相位、频率都与激发它们的光子相同—相干光； ≯ LD通过受激辐射过程发光。 ■光吸收：处于低能态光子，如果受到外来光的照射，当光子能量等于或大于禁带能量时，光子将被吸收而使电子跃迁到高能态； ■光吸收过程： ●受激吸收：如果入射光子的能量hv近似等于E2-E1，光子能量就会被吸收，同时基态上的电子跃迁到高能态； ≯半导体光检测器基于这种效应。 ■自发发射、受激辐射和受激吸收三种过程是同时存在的。 ●优点：减小了注入电流，增强了发光强度 ●优点：光的方向性好，与光纤的耦合效率高，电光转换效率比表面发光二级管高 *