第四章 半导体中载流子的统计分布.doc

第四章 半导体中载流子的统计分布 前章已讲过，完整半导体中的电子能级构成能带，有杂质和缺陷的半导体，在禁带中存在局域化能级。实验证明，半导体的导电性强烈地随温度和杂质含量变化。这主要是因为半导体中的载流子数目对温度和杂质是非常敏感的。本章讨论热平衡情况下，载流子在各种能级上的分布，计算导带电子和价带空穴的密度，分析它们与半导体中杂质含量及温度的关系。 § 4-1 状态密度 大家已知道，在周期性势场中运动的电子，其波函数为布洛赫函数。对于一个确定的能级，电子的运动状态可用一个波矢来标志。在周期性边界条件限制下，波矢只能取一系列间断值，这些允许的在倒空间是均匀分布的，其密度为。考虑到电子自旋的两种取向后，在倒空间单位体积内电子的状态数（即密度）为 （4-1） 式中，V是晶体的体积。上式为一个普适公式，对任何晶体都适用。在讨论具体问题时，通常使用以能量为尺度的状态密度N（E），其定义为单位晶体体积、单位能量间隔中的状态数。对于半导体来说，导带中的电子一般集中在导带底附近的状态中，而价带中的空穴一般集中在价带顶附近的状态中。因此，只需考虑导带底和价带顶附近的情况。 导带状态密度 Ge、Si是最重要的半导体，它们的导带都属于多能谷情况。设想导带有M个彼此对称的能谷，在每个能谷处，能量作为的函数可表示为 （4-2） 式中，为导带底能量，（i=1，2，3）为导带底附近的波矢与导带底处波矢的坐标分量之差。在空间中，由能量相等的波矢所构成的曲面称等能面。因此，（4-2）式表示，在半导体的导带底附近，等能面为椭球面。椭球中心在能量极小处，相应的能量为导带底Ec。式中的m1，m2和m3为沿椭球主轴方向上的有效质量分量。椭球的三个半轴长分别为 ，和 对于那些能量在Ec到E范围内的电子态，其波矢都在该椭球里面。从而在M个能谷附近能量在Ec到E范围内的电子态数目为 = （4-3） 式中，M是能谷数，是倒空间单位体积中的状态数，其余因子是能量椭球的体积。将（4-3）式对能量取微分，并除以晶体体积V，便得到在单位晶体体积中，能量在E到E+dE范围内的电子态数 （4-4） 式中，Nc(E)即为电子的状态密度，它表示单位体积晶体中，单位能量间隔内的电子态数。若令 （4-5） 则Nc(E)可表示为 （4-6） mdn称导带电子状态密度有效质量。（4-6）式与自由电子的状态密度表示式类似，只是这里用电子状态密度有效质量mdn代替了电子的惯性质量。 如果导带极小值发生在布里渊中心（GaAs等一些直接带隙半导体材料常常属于这种情况），则导带只能有一个能谷，M=1。对于立方晶系材料，根据能带的对称性，在处的能谷附近，等能面为球面。既有 （4-7） 在式（4-2）中，只需令m1=m2=m3=m*和M=1，便可直接得到球形等能面的状态密度 （4-8） 二．价带状态密度NV(E) 一些主要的半导体材料，其价带顶都位于布里渊区中心。考虑自旋---轨道耦合作用后，有两个能带（重空穴带和轻空穴带）在处相接触，等能面是扭曲的，但可近似地用球面表示，即有 和 （4-9） 式中，mh和ml分别是重空穴和轻空穴的有效质量。若用NV（E）表示价带顶附近的状态密度，则其应为两个能带所引起的状态密度之和。利用与前面类似的推导方法，容易得到 + （4-10） 若令，，称价带空穴状态密度有效质量，则（4-10）可简化为 （4-11） 图4-1画出了状态密度与能量的关系曲线。表4-1列出了在4K温度下，Si和Ge的状态密度有效质量。 §4-2 费米分布函数和费米能级 电子在能态中的分布是一个量子统计问题。从大量电子的整体来看，在热平衡状态下，电子按能量的大小具有一定的统计分布规律性，或者说电子在