半导体物理复习2009.docVIP

一、选择题 1. 若半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定 。 A. 不含施主杂质 B. 不含受主杂质 C. 不含任何杂质 D. 处于绝对零度 2. 本征半导体是指 的半导体。 A. 不含杂质与缺陷 B. 载流子的分布遵从玻耳兹曼统计规律 C. 电子密度与空穴密度相等 D. 与掺杂半导体相比，电导率最低 3. 半导体中杂质自补偿效应的起因是 。 A. 材料中先已存在某种深能级杂质 B. 材料中先已存在某种深能级缺陷 C. 掺入的杂质是双性杂质 D. 热激发导致的电子空穴对激发 4. 下列四种掺杂硅半导体材料中，室温下功函数最大是 。 A. 含硼1015/cm3的硅 B. 含磷1015/cm3的硅 C. 含硼和磷各为1015/cm3的硅 D. 纯净硅 5. 若在适度掺杂的无表面态n型硅 (功函数WS ( 4.3 eV ) 上制作欧姆电极， 以下四种金属中最合适的是 。 A. 铝Al (功函数Wm ( 4.2 eV ) B. 铬Cr (功函数Wm ( 4.6 eV ) C. 金Au (功函数Wm ( 4.8 eV ) D. 铟In (功函数Wm ( 3.8 eV ) 6. 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，其费米能级EF随温度上升而 。 A. 单调上升 B. 经过一极小值趋近本征费米能级Ei C. 单调下降 D. 经过一极大值趋近本征费米能级Ei 7. PN结加正向电压时，其正向电流是 。 A．多子扩散而成 B．少子扩散而成 C．少子漂移而成 D．多子漂移而成 8.以下不属于PN结击穿的主要机构有 。 A．热不稳定性 B．穿通效应 C．隧道效应 D．雪崩倍增 9. 若半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定 。 A. 不含施主杂质 B. 不含受主杂质 C. 不含任何杂质 D. 处于绝对零度 10. 本征半导体是指 的半导体。 A. 不含杂质与缺陷 B. 载流子的分布遵从玻耳兹曼统计规律 C. 电子密度与空穴密度相等 D. 与掺杂半导体相比，电导率最低 11. 半导体中杂质自补偿效应的起因是 。 A. 材料中先已存在某种深能级杂质 B. 材料中先已存在某种深能级缺陷 C. 掺入的杂质是双性杂质 D. 热激发导致的电子空穴对激发 12. 下列四种掺杂硅半导体材料中，室温下功函数最大是 。 A. 含硼1015/cm3的硅 B. 含磷1015/cm3的硅 C. 含硼和磷各为1015/cm3的硅 D. 纯净硅 13. 若在适度掺杂的无表面态n型硅 (功函数WS ( 4.3 eV ) 上制作欧姆电极， 以下四种金属中最合适的是 。 A. 铝Al (功函数Wm ( 4.2 eV ) B. 铬Cr (功函数Wm ( 4.6 eV ) C. 金Au (功函数Wm ( 4.8 eV ) D. 铟In (功函数Wm ( 3.8 eV ) 14. 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，其费米能级EF随温度上升而 。 A. 单调上升 B. 经过一极小值趋近本征费米能级Ei C. 单调下降 D. 经过一极大值趋近本征费米能级Ei 15. PN结加正向电压时，其正向电流是 。 A．多子扩散而成 B．少子扩散而成 C．少子漂移而成 D．多子漂移而成 一、填空题 1. 两种不同半导体接触后,? 费米能级较高的半导体界面一侧带 电达到热平衡后两者的费米能级 。 2. 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于 方向上距布里渊