材料化学第四章的.ppt

实验课小结;第四章;4.1 化学合成与材料制备;一、概念 材料制备( 化学合成 + 材料加工 ) 化学合成：原材料 → 新材料(化学上不同) （化学反应） 材料加工：原材料 → 新材料(物理上不同) （工艺手段） 例块体→薄膜；非晶→晶态。;二、各种材料 的制备过程、特点;2 、无机材料 ;3 、高分子材料;三、材料制备目的;四、材料制备条件;2、常用气源 钢瓶气源：H2 N2 O2 Cl2 NH3 CO CO2 气体发生器：H2S HCN 3、真空的获得 低真空 1.33×105 ~ 1.33×10-1 Pa （机械泵） 高真空 1.33×10-2 ~ 1.33×10-5 Pa （扩散泵 溅射离子泵）;4、高温的获得和控制;5、低温的获得和控制 ;4.2 晶体材料的制备 （微、纳米晶）;一、制备样品应具备的特性;二、制备方法分类;三、制备方法介绍;镁铝尖晶石的制备实例;陶瓷法的缺点 ;液相法 特点：化学组成可控 → 高纯、均相 成核速度可控 → 合成温度低 形状大小可控 → 纳米颗粒 分类：溶胶凝胶法；沉淀法；水热法等。;2、溶胶—凝胶（Sol-Gel）法;（2）名词解释 前驱体(precursor)：起始原料。例：金属醇盐、金属盐的水溶液。 溶胶：纳米级固体颗粒（ 1~5nm）在液体介质中形成的分散体系。 凝胶：溶胶失去部分介质液体的产物。 （半固态物质；固态粒子呈连续网络）;（3）S-G法的基本原理 1）前驱体 + 溶剂 → 溶液； 2）水解（醇解）反应 → 溶胶； 3）溶胶干燥 → 凝胶。 ∴应称 S-S-G 法。; 制备过程示意图 ;;（4）S-G法的特点;（5）S-G法的应用;;上节内容回顾:;1、陶瓷法（固相法）;2、溶胶—凝胶（Sol-Gel）法 基本概念：前躯体(precursor) ； 溶胶（1-5 nm）； 凝胶（半固态，网络结构） S-G法的基本原理 1）前驱体 + 溶剂 → 溶液； 2）水解（醇解）反应 → 溶胶； 3）溶胶干燥 → 凝胶。 ∴应称 S-S-G 法。; 制备过程示意图 ;S-G法的特点;S-G法的应用;TiO2纳米粉末的TEM图像;TiO2纳米薄膜的原子力显微图像 ;习题课;2、石英SiO2共有哪几个系列？哪几种变体？并从中举出位移型转变的例子。 3、反应物的颗粒大小和反应温度是如何影响固相反应速度的？（可结合本章实验讨论）;3、沉淀-共沉淀法;3）制备过程 可溶性盐混合溶液 → 加入沉淀剂 → 沉淀物 → 过滤、洗涤→热处理→粉料 常用沉淀剂：OH-、C2O42-、CO32- 4）优缺点 样品的晶型结构完整，原料便宜； 设备简单、适于批量生产； 粉末易团聚，制备较为困难。 ;4、水热合成法; 2)类型 ;3）反应装置及制备;4）水热合成的特点 ;实验：s-g法制备TiO2纳米粉体 ;4.3 无定形材料的制备 ;三、制备方法;4.4 晶体生长;4.5 高分子材料的制备;4.6 薄膜制备;涉及到的问题;薄膜与涂层区别;薄膜的分类;薄膜的形成;制备薄膜的其他方法;;8.4 薄膜的厚度;实际薄膜中几种可能的表面形貌;在薄膜厚度测量中所指的表面不是一个几何概念，而是一个物理概念，是指表面分子 (原子) 的集合。图中曲折的粗线为薄膜表面。 定义一个平均表面，使得薄膜表面上所有的分子 (原子) 到这个面的距离的代数和等于零。图中水平直线即为平均表面。;一、薄膜厚度测量中的几个基本概念;形状膜厚dT：SS 和ST之间的距离 质量膜厚dM：SS 和SM之间的距离 物性膜厚dP：SS 和SP之间的距离; 形状膜厚 dT 是最接近直观形式的膜厚；形状膜厚 dM 反映了薄膜中包含物质的多少；物性膜厚 dP 在实际使用中较为实用，而且比较容易测量。 一般情况下，dT ? dM ? dP 由于实际表面并不平整，同时薄膜制作过程中又不可避免的要产生各种缺陷、杂质和吸附分子等，因此不管用哪