同轴腔 谐振腔的等效电路 习题.ppt

第三章 微波谐振器 * 第3章 微波谐振器 同轴线谐振腔工作主模是TEM模，场结构简单、稳定、无色散、无频率下限，工作频率范围较宽。 为了防止高次模出现，同轴线尺寸不宜过大，应满足：π（a＋b）λmin；而且，内导体增加了功率损耗，因此，与圆柱形和矩形谐振腔相比，固有品质因数Q0值较低。 同轴线谐振腔主要用于米波、分米波波段，小功率系统的厘米波段。可用作振荡器、倍频器和放大器中的谐振回路，以及精度要求不高的波长计等。 本节主要学习三种类型的同轴线谐振腔：二分之一（谐振）波长型（λr/2）谐振腔；四分之一（谐振）波长型（λr/4）谐振腔；电容加载同轴线谐振腔。 3.4 同轴线谐振腔 一、 ?r/2型同轴谐振腔 （一）场结构与场分量： ?r/2型同轴谐振腔是传输线型谐振腔，由两端短路的一段同轴线构成，如下图所示。腔中的纯驻波场由行波在腔的两个短路板之间来回反射相叠加而成。 由规则波导理论可知，对于同轴线的TEM波，其电场分量只有Er分量（磁场只有Eφ分量）： 同轴线谐振腔内的场由方向相反的两 个行波叠加而成： 根据边界条件 （z=0为短路板之一处）： 可得： 因此： 根据边界条件（z=l为另一短路板处）： 可得： 因此： 再根据场分量之间的关系可得： （二）谐振波长： 对于?r/2型同轴谐振腔的主模TEM波，由于： 又由于： 所以： 由上式可知：l等于?r/2的整数倍时，腔内产生谐振，因此这类腔称为二分之一（谐振）波长型（λr/2）同轴谐振腔；同样，此类腔具有多谐性。 （三）固有品质因数： 根据： 代入场分量表示式计算可得： 当l=λr/2时： 当b/a≈3.6 时，Q0为最大值（此时同轴线导体衰减常数最小）。 二、 ?r/4型同轴谐振腔 （一）谐振波长： ?r/4型同轴谐振腔也是传输线型谐振腔，由一端短路、一端开路的一段同轴线构成（如图所示：图中包括一段圆波导）。可由电纳法求这类谐振腔的谐振波长?r和谐振频率fr：取某一参考面，求出该参考面的总的等效电纳，谐振条件下，该总电纳为0。 根据长线理论研究结果，从腔的开路端向短路端观察的输入阻抗为： 由于谐振时，Zin(l) 趋向于无穷大（即电纳趋于零），因此： 由此得： 可见，当腔的长度l等于λr/4的奇数倍时，腔将产生谐振，因此这类腔称为四分之一（谐振）波长型（λr/4）同轴谐振腔；同样，此类腔具有多谐性。实际结构上常把开路端外导体适当延长构成截止圆波导，甚至末端用导体封盖，起衰减器作用。 （二）固有品质因数： 根据： 代入场分量表示式计算可得： 当l=λr/4时： 由于结构原因，λr/4型腔比λr/2型腔测量精度要低。 (三) 电容加载型同轴谐振腔 电容加载型同轴谐振腔结构及其等效电路如右图所示。 等效电路中的C是同轴线谐振腔内导体端面与短路板之间的电容（即加载电容），这个电容可近似看作平板电容： 如果考虑边缘电容，需要加入修正项。 A A’ l Zc A A’ C l t 如果t较大，电容可忽略，则可等效为λr/4同轴线谐振腔。反之，电容起到缩短l的作用。 在谐振器中选取AA’为参考面，求出其等效电路，把所有电纳归到参考面，谐振时该参考面总电纳应为零。即： 上式展开： 通过上式可直接计算或通过图解法求解谐振频率fr。同样可通过下式计算或图解法求解满足谐振条件的l： 3.5 谐振腔的等效电路 谐振腔的等效电路问题，又称为“外电耦合问题”。通过等效的LC电路，描述谐振腔的对于外部电路所呈现的谐振特性和其它性质。 对于工作于某一模式的谐振腔，在一定条件下，可将其等效为集中参数的并联或串联谐振回路，取决于参考面的选择。 方法：利用计算或测量的方法求出谐振腔的特性参数，然后根据腔的特性参数与集中参数谐振回路特性参数之间的等效关系式，求出等效电路的等效参数。 L C G0 Um L C G0 Um 右图并联LC回路中，回路的储能W、损耗功率P、固有品质因数分别为： 该回路的导纳为： 进一步可将回路并联电纳表示为： 当工作频率范围较窄时可近似认为： 因此： 且有： 另外：由于ωr附近较窄的频带内，由趋肤效应引起的G的变化很小，因此可以近似认为G为常数。 由以上分析可知，集中参数的并联谐振回路在谐振频率附近的窄频带内由如下三个特性：