如何提高晶体硅太阳电池效率.ppt

如何提高晶体硅太阳电池的光电转换效率? 晶体硅太阳电池的理论效率上限: 29% 已实现的最高效率: 24.7%(UNSW) 低成本(丝网印刷工艺)大规模生产水平: ﹤17% 为什么? 晶体硅太阳电池已有五十多年的历史1970年代: BSF(71); 浅结/密栅(72); “绒面”(74)1980/90年代: 发射区表面钝化; 基区表面钝化技术进步是基于对硅太阳电池光电转换损失机理的逐步深入理解是那些因素限制了晶体硅太阳电池的转换效率？ PN结光伏效应的基本概念 光被半导体（硅）吸收→光激发产生电子-空穴对→光生载流子向PN结结区扩散→PN结内建电场将电子、空穴分别“扫入”N区和P区，构成光生电流→光生电流经正负电极流向外电路负载 这个光电转换过程的每一步都会产生一定的损失，影响到转换效率 ☆光子能量高于Eg时，多出的能量将传给晶格，转换为热能（这也是电学损失）。 ☆电池表面的光反射损失 任何两种折射率不同的介 质间的界面上都会发生光反射。 反射系数为： R = 对于硅，600 nm处 n ≈ 3.8 外界介质为大气时，n0= 1 R ≈ 34% 措施1：减反射膜 薄膜干涉原理：当n2n1n0时，膜层材料与基体（硅）和外 界媒质间的两个界面上的反射光将互相干涉，从而抑制基体 表面的光反射。反射系数 R(λ) 为膜层折射率及厚度的函数。 当 时，反射最小。 n1d1=λ0/4时，R为极小值: R1 (λ0 ) =R2 (λ0 ), R (λ0 ) =0 对于硅，最佳的减反射膜折射率应为： 外界介质为大气时，n0= 1: ≈ 1.95 外界介质为EVA时，n0 ≈ 1.5: ≈ 2.39 供选择的减反射膜(ARC): SiOx, TiOx, Si3N4, Ta2O5等 ARC厚度的选择需综合考虑太阳电池的光谱响应和太阳光的光谱分布两个因素，“零反射”点λ0应选在600 nm左右。 对于SiNx: 取n1= 2.0, n1d1=λ0/4 = 600/4 = 150 (nm) ---光学厚度 d1= 150/n1 = 75 (nm) ---几何厚度单层ARC仍有约12%的残余反射，其中蓝光成分多，因此干涉色为深蓝。对于短波响应好的高效电池，λ0应“蓝移”。问题: ＊ SiNx的厚度、折射率范围？ ＊ SiNx/SiNy, SiOx/SiNx双层膜？ 措施2: 表面织理结构(随机正金字塔，“V”形槽，倒金字塔…) 在弱碱性溶液中晶体硅表现出各向异性的腐蚀特性，原 子排列密度最大的（111）面腐蚀速度最慢，在（100）晶向 的硅片表面形成由（111）面构成的微结构。 （1）减少反射：裸硅 --- (34%)2≈12% 单层ARC --- (12%)2 1.5% （2）光进入硅后，因折射偏离与硅片垂直的方向，使： ＊ 光被吸收的位置更靠近pn结结区—改进短波响应； ＊ 在硅片内的光程延长—改进长波响应—对薄片意义更大。 问题: ＊如何使“绒面”均匀、细密？（硅片表面洁净、无损伤，腐蚀 液配方和温度控制） ＊晶面偏离(100)一定角度? ＊能否保护背面不腐蚀？ ＊多晶硅片的理想绒面制备方法？ ☆ 上电极“阴影”损失 主栅宽2 mm，细栅宽0.12 mm: “阴影”率7% 细栅宽0.15 mm: “阴影”率8% 细栅宽0.20 mm: “阴影”率10% （1%意味着560万元/年/线） 问题: ＊如何制备细(!)栅，提高细栅的高/宽比？ ＊栅线镀银加厚? ＊背接触（如sunpower的产品）没有栅线阴影损失，能用丝网 印刷工艺实现吗？ 电学损失 电池的最大输出功率：Pm = Isc · Voc · FF ☆ 电流损失：光生载流子在被pn结收集前复合 （1）体复合：少数载流子（光生载流子）的寿命是